ترانزیستورهای اثر میدان نیترید گالیوم
ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نیترید گالیوم (GaN) نسل جدیدی از نیمه‌هادی‌های قدرت هستند که برای سوئیچینگ با فرکانس بالا و راندمان زیاد استفاده می‌شوند.
ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نیترید گالیوم (GaN) نسل جدیدی از نیمه‌هادی‌های قدرت هستند که برای سوئیچینگ با فرکانس بالا و راندمان زیاد استفاده می‌شوند.
