فتوترانزیستور
معرفی کوتاه و حرفهای فتوترانزیستور (Phototransistor) یک ترانزیستور حساس به نور است که با دریافت نور، جریان بین کلکتور و امیتر آن تغییر میکند و برای تشخیص نور یا تغییرات شدت آن در مدارهای الکترونیکی بهکار میرود. ساختار فتوترانزیستور از یک ترانزیستور نوع NPN یا PNP تشکیل شده که بیس آن بهجای جریان الکتریکی با فوتونهای نور فعال میشود. در برخی مدلها بیس کاملاً باز گذاشته میشود. ویژگیها حساسیت نوری بالا سرعت پاسخگویی مناسب مصرف انرژی بسیار پایین عملکرد بدون نیاز به تحریک بیس کاربردها سنسورهای نوری و آشکارساز حرکت شمارندههای نوری و کنترل خطوط تولید تشخیص مانع در رباتیک سیستمهای مادون قرمز چند نمونه از قطعه OP550, BPW85, L14G2, SFH309FA توضیحات تکمیلی در انتخاب فتوترانزیستور باید به طول موج نور ورودی، زاویه دریافت نور و سرعت سوییچینگ توجه شود. این قطعات در ترکیب با دیودهای IR در فرستندهگیرندههای نوری بسیار رایج هستند.
- جدید
- خاص
- پایدار
- پرفروش
- 5.5 V
- 6 V
- 20 V
- 25 V
- 30 V
- 32 V
- 35 V
- 40 V
- 50 V
- 60 V
- 70 V
- 0.000001 mA
- 0.00002 mA
- 0.00003 mA
- 0.00005 mA
- 0.0001 mA
- 0.0002 mA
- 0.3 mA
- 15 mA
- 20 mA
- 50 mA
- 100 mA
- 570 nm
- 800 nm
- 825 nm
- 830 nm
- 850 nm
- 860 nm
- 880 nm
- 925 nm
- 930 nm
- 940 nm
- 950 nm
- 980 nm
- 5 V
- 70 mW
- 75 mW
- 90 mW
- 100 mW
- 150 mW
- 165 mW
- 200 mW
- 215 mW
- 220 mW
- 250 mW
- 300 mW
- 500 mW
- 600 mW
- 3.4 W
- SMD/SMT
- Through Hole
- -65 °C
- -55 °C
- -40 °C
- -30 °C
- -25 °C
- -20 °C
- 80 °C
- +85 °C
- 85 °C
- 100 °C
- 125 °C
- Everlight Electronics
- Fairchild Semiconductor
- Kingbright Electronic
- Kodenshi Corp
- LITE-ON Semiconductor
- OPTEK Technology Inc
- OSRAM Opto Semiconductors
- Siemens Semiconductor Group
- SunLED
- TEMIC Semiconductor
- Toshiba Corporation
- Vishay
- 0603 1608
- 0805 2012
- 1008
- 1206 3216
- Module
- PLCC-2
- Radial
- Radial Lens 3mm
- Radial Lens 5mm
- Radial-3
- SMD 4x4x3
- TO-18
- افزایشی
- کاهشی
- قیمت فروش
- امتیاز
- ولتاژ کلکتور-امیتر
- جریان کلکتور
- طول موج
- حداقل ولتاژ کاری
- اتلاف قدرت
- نوع نصب روی برد
- حداقل دمای عملیاتی
- حداکثر دمای عملیاتی
- برند
- پکیج