آی جی بی تی
آیجیبیتی (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) یک نیمههادی قدرت است که ترکیبی از ویژگیهای ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) و ترانزیستور دوقطبی (BJT) را دارد. این قطعه برای سوئیچکردن سریع ولتاژها و جریانهای بالا در توانهای زیاد استفاده میشود. ویژگیها: امپدانس ورودی بالا مانند MOSFET جریان خروجی بالا مانند BJT ولتاژ اشباع کم و تلفات پایین مناسب برای فرکانسهای متوسط (چند کیلوهرتز) کاربردها: اینورترها و مبدلهای DC به AC درایور موتورهای صنعتی منابع تغذیه سوئیچینگ و UPS سیستمهای جوشکاری، گرمایش القایی و انرژی خورشیدی نمونهها: IRG4BC30KD، FGH60N60SFD IGBT یکی از محبوبترین قطعات در مدارهای قدرت و کنترل مدرن است.
فیلتر
0
محصول
فیلترهای فعال
حذف همه
جستجو در نتایج
از
ریال
تا
ریال
راهنما
نمایش محصولات موجود
- جدید
- خاص
- پایدار
- پرفروش
- 1.8 V
- 2.5 V
- 3.2 V
- 300 V
- 330 V
- 360 V
- 390 V
- 400 V
- 410 V
- 430 V
- 450 V
- 500 V
- 505 V
- 600 V
- 650 V
- 685 V
- 750 V
- 900 V
- 1000 V
- 1100 V
- 1200 V
- 1300 V
- 1500 V
- 1600 V
- 1700 V
- 3600 V
- 4000 V
≥
=
≤
=
- 200 mA
- 2.5 A
- 3.6 A
- 6.2 A
- 7 A
- 7.8 A
- 8 A
- 9 A
- 10 A
- 11 A
- 12 A
- 13 A
- 14 A
- 15 A
- 16 A
- 16.5 A
- 17 A
- 20 A
- 21 A
- 22 A
- 23 A
- 24 A
- 25 A
- 26 A
- 28 A
- 30 A
- 31 A
- 32 A
- 33 A
- 34 A
- 35 A
- 36 A
- 38 A
- 40 A
- 41 A
- 42 A
- 43 A
- 45 A
- 46 A
- 48 A
- 50 A
- 51 A
- 52 A
- 54 A
- 55 A
- 56 A
- 60 A
- 64 A
- 70 A
- 75 A
- 76 A
- 78 A
- 80 A
- 90 A
- 96 A
- 100 A
- 105 A
- 107 A
- 120 A
- 150 A
- 155 A
- 160 A
- 180 A
- 200 A
- 600 A
≥
=
≤
=
- 1.17 V
- 1.2 V
- 1.25 V
- 1.30 V
- 1.36 V
- 1.4 V
- 1.45 V
- 1.5 V
- 1.50 V
- 1.55 V
- 1.56 V
- 1.6 V
- 1.62 V
- 1.65 V
- 1.68 V
- 1.7 V
- 1.75 V
- 1.8 V
- 1.85 V
- 1.9 V
- 1.95 V
- 2 V
- 2.0 V
- 2.05 V
- 2.1 V
- 2.15 V
- 2.2 V
- 2.25 V
- 2.3 V
- 2.33 V
- 2.35 V
- 2.4 V
- 2.43 V
- 2.45 V
- 2.5 V
- 2.56 V
- 2.6 V
- 2.62 V
- 2.7 V
- 2.75 V
- 2.8 V
- 2.9 V
- 2.97 V
- 3 V
- 3.01 V
- 3.05 V
- 3.15 V
- 3.2 V
- 3.4 V
- 3.5 V
- 3.6 V
- 3.7 V
- 3.8 V
- 4 V
- 4.2 V
- 4.3 V
- 4.5 V
- 4.7 V
- 4.9 V
- 20 V
- 24 V
- 50 V
- 600 V
≥
=
≤
=
- Single
- With diode
=
- 3.2 V
- 4 V
- 6 V
- 6.4 V
- 10 V
- 12 V
- 15 V
- 16 V
- 20 V
- 25 V
- 30 V
≥
=
≤
=
- 600 mW
- 1.1 W
- 1.8 W
- 18 W
- 22.5 W
- 24 W
- 25 W
- 28.4 W
- 29 W
- 34 W
- 35 W
- 38 W
- 40 W
- 50 W
- 52 W
- 54.4 W
- 55 W
- 56 W
- 60 W
- 62 W
- 63 W
- 68 W
- 70 W
- 75 W
- 80 W
- 88 W
- 92 W
- 100 W
- 104 W
- 109 W
- 110 W
- 115 W
- 115.4 W
- 125 W
- 130 W
- 140 W
- 150 W
- 160 W
- 165 W
- 166 W
- 167 W
- 170 W
- 178 W
- 180 W
- 187 W
- 190 W
- 198 W
- 200 W
- 208 W
- 210 W
- 220 W
- 230 W
- 250 W
- 260 W
- 270 W
- 283 W
- 290 W
- 294 W
- 298 W
- 300 W
- 305 W
- 308 W
- 310 W
- 312 W
- 313 W
- 326 W
- 328.9 W
- 330 W
- 333 W
- 340 W
- 350 W
- 357 W
- 360 W
- 365 W
- 366 W
- 375 W
- 378 W
- 380 W
- 390 W
- 395 W
- 402 W
- 412 W
- 417 W
- 428 W
- 430 W
- 463 W
- 468 W
- 480 W
- 483 W
- 500 W
- 520 W
- 535 W
- 536 W
- 595 W
- 600 W
- 625 W
- 643 W
- 938 W
- 961 W
≥
=
≤
=
- Chassis Mount
- SMD/SMT
- Through Hole
=
- -65 °C
- -55 °C
- -50 °C
- -40 °C
- -25 °C
≥
=
≤
=
- +125 °C
- +150 °C
- 150 °C
- +155 °C
- +175 °C
- 175 °C
≥
=
≤
=
- Advanced Power Electronics Corp
- Advanced Power Technology
- Alpha & Omega Semiconductor
- Fairchild Semiconductor
- Fuji Electric
- Harris Semiconductor
- Infineon Technologies
- International Rectifier
- Intersil Corporation
- IXYS Integrated Circuits
- KEC Semiconductor
- MagnaChip Semiconductor
- Microsemi Corporation
- Mitsubishi Electric
- Non-Brand
- ON Semiconductor
- Philips Semiconductor
- Renesas Technology
- Samsung Electronics
- Siemens Semiconductor Group
- STMicroelectronics
- Toshiba Corporation
- Wuxi NCE Power Semiconductor
=
- ISOPLUS I4-PAC
- ISOPLUS I5-PAC
- ISOPLUS-247
- SOT-223
- SOT-227
- TO-218
- TO-220
- TO-220AB
- TO-220F-3
- TO-247-2
- TO-247AC
- TO-247AD TO-3P
- TO-247F
- TO-251 IPAK
- TO-252 D-PAK
- TO-263AB D2PAK
- TO-264
- TO-3PF
- TSSOP-8
=
مرتب سازی
- افزایشی
- کاهشی
- قیمت فروش
- امتیاز
- ولتاژ کلکتور-امیتر
- جریان کلکتور
- ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر
- نوع پیکربندی
- حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر
- اتلاف قدرت
- نوع نصب روی برد
- حداقل دمای عملیاتی
- حداکثر دمای عملیاتی
- برند
- پکیج