IRF830PBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با ولتاژ کاری بالا و طراحی استاندارد است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج TO-220AB برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت عمومی طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۵۰۰V
-
جریان درین پیوسته (I_D): ۴٫۵A (در ۲۵°C)
-
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱٫۵Ω (در V_GS = ۱۰V)
-
توان قابل تحمل (P_D): ۷۴W
-
مقاومت حرارتی (R_θJC): ۱٫۶°C/W
💡 کاربردهای اصلی:
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری بالا: ۵۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی
-
پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی عالی و نصب آسان
-
بار گیت پایین: ۲۸nC برای درایو ساده
-
قابلیت اطمینان: عملکرد پایدار در شرایط کاری مختلف
-
هزینه بهینه: مقرون بهصرفه برای کاربردهای عمومی
-
سازگاری گسترده: جایگزین مستقیم برای بسیاری از مدلهای مشابه
🎯 جمعبندی:
IRF830PBF یک MOSFET قدرت با عملکرد مطمئن برای کاربردهای پرولتاژ است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری ۵۰۰ ولتی و جریان ۴٫۵ آمپری، راهحلی اقتصادی و قابل اعتماد برای سوییچینگ لو-ساید ارائه میدهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان متوسط ایدهآل است. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک در صورت نیاز برای دستیابی به عملکرد بهینه ضروری است. این ترانزیستور گزینهای مناسب برای پروژههای صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و قابلیت اطمینان مناسب میباشد.