FQP27P06

FQP27P06

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P است که توسط ON Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج استاندارد TO-220 ارائه می‌شود و یک راه‌حل متعادل و قابل اعتماد برای کاربردهای سوئیچینگ ساید (High-Side Switching) با جریان متوسط ارائه می‌دهد.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: P-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): -60V

• جریان درین پیوسته (Id): -27A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 70mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB (Through-Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): -60V

• جریان درین پیوسته (Id): -27A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 70mΩ

• توان قابل تحمل (Pd): 120W

💡 کاربردهای اصلی:

• سوئیچینگ ساید (High-Side Switching) در منابع تغذیه

• درایورهای موتور DC و براشلس (BLDC)

• سیستم‌های کنترل توان صنعتی

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• سیستم‌های UPS و اینورتر

• کنترلرهای شارژ باتری

• سیستم‌های جابجایی بار (Load Switching) پرقدرت

✅ مزایا:

• جریان عبوری بالا: قابلیت تحمل جریان ۲۷ آمپری برای بارهای سنگین

• مقاومت روشن پایین: ۷۰ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• پکیج استاندارد TO-220: امکان مدیریت حرارتی مؤثر با هیت‌سینک

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط کاری نرمال

• هزینه بهینه: عملکرد قابل قبول با قیمت مقرون به‌صرفه

• ساختار Robust: طراحی شده برای کاربردهای صنعتی

🎯 جمع‌بندی:
FQP27P06 یک MOSFET کانال P قدرتمند و قابل اعتماد است که ترکیب مناسبی از جریان بالا (27A) و مقاومت روشن پایین (70mΩ) را ارائه می‌دهد. این قطعه برای طیف گسترده‌ای از کاربردهای صنعتی و مصرفی که به سوئیچینگ ساید با کارایی خوب نیاز دارند، گزینه‌ای ایده‌آل محسوب می‌شود. پکیج TO-220 مدیریت حرارتی را ساده می‌کند، اما برای دستیابی به بهترین عملکرد در جریان‌های بالا، استفاده از هیت‌سینک مناسب توصیه می‌شود. این قطعه نمونه‌ای متعادل از عملکرد، قابلیت اطمینان و هزینه برای کاربردهای عمومی پرتوان است.