SI2300DS-T1-GE3
یک ماسفت قدرت کانال N (N-Channel Power MOSFET) با ولتاژ درین-سورس ۳۰ ولت از سری TrenchFET® ساخت Vishay است. این قطعه برای مبدلهای DC/DC در دستگاههای قابل حمل و سوئیچ بار (Load Switch) طراحی شده است. این ماسفت دارای مقاومت روشن پایین، شارژ گیت کم و سوئیچینگ سریع است.
💡 کاربردهای عملی:
-
مبدلهای DC/DC برای دستگاههای قابل حمل
-
سوئیچ بار (Load Switch)
-
منابع تغذیه سوئیچینگ کوچک
-
تجهیزات باتریمحور
-
مدارهای Power Management
-
لوازم الکترونیکی مصرفی
-
شارژرها و آداپتورهای کوچک
-
مدارهای نیازمند ماسفت با ابعاد کوچک و راندمان بالا
✅ مزایا:
-
ولتاژ ۳۰ ولت و جریان پیوسته تا ۳.۶ آمپر
-
مقاومت روشن پایین
-
شارژ گیت کم: حدود ۳ نانوکولن
-
سوئیچینگ سریع و تلفات سوئیچینگ پایین
-
بستهبندی کوچک SOT-23
-
مناسب برای دستگاههای قابل حمل و مدارهای فشرده
-
بدون هالوژن و مطابق RoHS
-
۱۰۰٪ تست مقاومت گیت (Rg)
-
تکنولوژی TrenchFET® برای راندمان بالا
-
دمای Junction تا +۱۵۰ درجه سلسیوس
🎯 جمعبندی:
SI2300DS-T1-GE3 یک ماسفت کانال N ۳۰ ولتی از Vishay با تکنولوژی TrenchFET®، بستهبندی SOT-23، جریان پیوسته ۳.۶ آمپر، شارژ گیت ۳ نانوکولن و دمای کار -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سلسیوس است. این قطعه بدون هالوژن و مطابق RoHS بوده و برای مبدلهای DC/DC دستگاههای قابل حمل و سوئیچ بار مناسب است.
مهمترین ویژگیهای آن مقاومت روشن پایین، شارژ گیت کم، سوئیچینگ سریع، ابعاد کوچک SOT-23 و سازگاری با محیط زیست میباشد.