STW48N60M2-4

STW48N60M2-4

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته MDmesh™ M2 است که توسط STMicroelectronics تولید شده است. این قطعه در پکیج پیشرفته TO-247-4 (4-Pin) ارائه می‌شود و با بهره‌گیری از پین درایو اضافی، عملکرد سوئیچینگ استثنایی را برای مبدل‌های با بازدهی بسیار بالا ارائه می‌دهد.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V

• جریان درین پیوسته (Id): 42A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 60mΩ (تیپیکال)، 70mΩ (حداکثر)

• نوع بسته‌بندی: TO-247-4 (Through-Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V

• جریان درین پیوسته (Id): 42A (در 25°C)، 26A (در 100°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 70mΩ (حداکثر)

• توان قابل تحمل (Pd): 300W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با راندمان بسیار بالا

• مبدل‌های DC-DC پیشرفته

• اینورترهای صنعتی و خورشیدی

• سیستم‌های UPS صنعتی

• درایورهای موتور پرسرعت

• مبدل‌های PFC (اصلاح ضریب توان)

✅ مزایا:

• عملکرد سوئیچینگ استثنایی: به لطف پین منبع درایو اضافی (Kelvin Source)

• مقاومت روشن بسیار پایین: ۶۰ میلی‌اهم تیپیکال برای تلفات هدایت حداقلی

• بار گیت بسیار پایین: ۷۰ نانوکولن برای راه‌اندازی سریع و آسان

• پروفایل خازن خروجی بهینه‌شده: کاهش تلفات سوئیچینگ

• محافظت شده با زنر: محافظت داخلی در برابر اُورولتاژ گیت

• تست شده 100% در حالت آوالانش: اطمینان از قابلیت اطمینان بالا

• پکیج TO-247-4: مدیریت حرارتی عالی و کاهش القاءگرایی مسیر سورس

🎯 جمع‌بندی:
STW48N60M2-4 یک MOSFET قدرت پیشرفته و بسیار کارآمد از نسل MDmesh™ M2 است که با ترکیب مقاومت روشن پایین، بار گیت کم و پکیج 4-Pin، راه‌حلی ایده‌آل برای طراحی‌های مدرن با فرکانس سوئیچینگ بالا و تلفات کم ارائه می‌دهد. وجود پین سورس جداگانه (پین چهارم) امکان درایو دقیق‌تر گیت و حذف اثرات القاءگرایی مسیر قدرت را فراهم کرده که منجر به کاهش نوسانات، کاهش حرارت و افزایش پایداری سیستم می‌شود. این قطعه برای طراحانی که به حداکثر راندمان و کارایی در کاربردهای صنعتی پیشرفته نیاز دارند، گزینه‌ای برتر محسوب می‌شود.