روش‌های ارسال متنوع
سفارش خارج
چت آنلاین
پیش خرید هوشمندانه
M68702H از خانواده ماسفت RF می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
M68702H RF MOSFET Transistor
یک ترانزیستور MOSFET ویژه کاربردهای فرکانس رادیویی (RF) است که برای تقویت سیگنال‌های RF با راندمان بالا و عملکرد پایدار طراحی شده است. این قطعه توسط شرکت‌های فعال در حوزه نیمه‌هادی ساخته می‌شود و در تقویت‌کننده‌های RF و مدارهای مخابراتی کاربرد فراوانی دارد.
🧩 مشخصات کلی:
نوع: MOSFET تقویت‌کننده فرکانس رادیویی (RF MOSFET)
ساختار: ترانزیستور اثر میدانی با اکسید فلزی نیمه‌هادی
کاربرد: تقویت سیگنال‌های فرکانس بالا (رادیویی)
💡 کاربردهای اصلی:
تقویت‌کننده‌های RF در تجهیزات مخابراتی
فرستنده‌ها و گیرنده‌های بی‌سیم
مدارهای تقویت‌کننده توان در باندهای فرکانسی VHF و UHF
تجهیزات رادیویی حرفه‌ای و صنعتی
کاربردهای نظامی و فضایی با نیاز به عملکرد پایدار در فرکانس بالا
✅ مزایا:
راندمان بالا در تقویت سیگنال‌های RF
تحمل ولتاژ و جریان مناسب برای کاربردهای توان متوسط
کاهش نویز و اعوجاج سیگنال
قابلیت کار در محیط‌های فرکانسی حساس و نویز بالا
⚠️ محدودیت‌ها و ملاحظات:
نیاز به طراحی دقیق مدار برای جلوگیری از نوسانات و بازخورد ناخواسته
حساسیت به حرارت و نیاز به هیت‌سینک مناسب در توان‌های بالا
محدودیت در فرکانس کاری بسته به نوع دقیق ترانزیستور
قیمت بالاتر نسبت به MOSFETهای معمولی به دلیل ویژگی‌های RF خاص
🎯 جمع‌بندی:
M68702H یک RF MOSFET مناسب برای کاربردهای تقویت سیگنال در فرکانس‌های رادیویی است که با ترکیب بهره بالا و مصرف توان مناسب، گزینه‌ای کارآمد در طراحی مدارهای RF به شمار می‌آید. این قطعه به‌خصوص در تجهیزات مخابراتی، فرستنده‌ها و گیرنده‌های بی‌سیم کاربرد دارد و با رعایت اصول طراحی و مدیریت حرارتی، می‌تواند عملکرد قابل اعتمادی ارائه دهد.
| Features | انتخاب ویژگی | |
|---|---|---|
| Output Power | 75 W | |
| Current (Id) | 20 A | |
| Resistance (Rds) | 50 Ω | |
| Mounting Style | Chassis Mount | |
| Minimum Operating Temperature | -30 °C | |
| Maximum Operating Temperature | 110 °C | |
| Brand | Mitsubishi Electric | |
| Package | Module | |
