IRFB4110PBF

IRFB4110PBF 
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با قابلیت‌های استثنایی در جریان‌دهی و مقاومت فوق‌العاده پایین است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ فوق‌پرتوا با نیاز به تلفات بسیار پایین طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۱۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۸۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۳٫۷mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۱۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۸۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۳٫۷mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۳۰۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۵°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ فوق‌پرتوا

• درایورهای موتور DC و سروو با جریان بسیار بالا

• سیستم‌های تبدیل توان خودرویی و صنعتی

• مبدل‌های DC-DC با جریان فوق‌العاده بالا

• سیستم‌های جوشکاری صنعتی پیشرفته

• منابع تغذیه سرور و مراکز داده پرتوان

✅ مزایا:

• مقاومت روشن فوق‌العاده پایین: تنها ۳٫۷ میلی‌اهم - کمترین تلفات هدایت

• جریان‌دهی استثنایی: ۱۸۰ آمپر پیوسته

• پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی عالی

• سوئیچینگ کارآمد: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• راندمان بی‌نظیر: تلفات توان بسیار پایین

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

IRFB4110PBF یک MOSFET قدرت با عملکرد استثنایی در کلاس خود محسوب می‌شود. این قطعه با ترکیب مقاومت RDS(on) فوق‌العاده پایین (۳٫۷mΩ) و قابلیت جریان‌دهی ۱۸۰ آمپری، راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای بسیار پرتوان با نیاز به راندمان حداکثری ارائه می‌دهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان بسیار بالا مناسب است. توجه به طراحی دقیق درایور گیت (با توجه به بار گیت ۲۳۰nC) و استفاده از هیت‌سینک بسیار قوی برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای برتر برای پروژه‌های صنعتی نیازمند جریان فوق‌العاده بالا و راندمان استثنایی می‌باشد.