2SC3356-A

نام کارخانه‌ای:
2SC3356-A
پکیج:
SOT-23 SC-59
بسته‌بندی:
Tape & Reel - 3,000 عدد
دیتاشیت:

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات 2SC3356-A

2SC3356-A از خانواده ترانزیستور دو قطبی RF می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Renesas Technology
  • پکیج SOT-23
  • نوع پیکربندی Single
  • منفی یا مثبت NPN قطب
  • اتلاف قدرت 200 میلی وات
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
  • جریان کلکتور 100 میلی آمپر
  • فرکانس 7 گیگا هرتز
  • حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +150 درجه سانتیگراد
  • فن آوری Si
  • ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
  • نوع Silicon RF Transistors
  • بهره تقویت 120 بتا
  • نوع نصب روی برد SMD

2SC3356-A

یک ترانزیستور RF نوع NPN سیلیکونی (Silicon NPN RF Transistor) ساخت شرکت Renesas Technology است که برای کاربردهای فرکانس بالا و تقویت سیگنال‌های رادیویی طراحی شده است.

این ترانزیستور با قابلیت کار در فرکانس تا 7GHz، جریان کلکتور 100mA و بهره جریان (hFE) حدود 120، گزینه‌ای مناسب برای مدارهای تقویت‌کننده RF، تقویت سیگنال‌های مخابراتی، اسیلاتورها و تجهیزات فرکانس بالا می‌باشد.


💡 کاربردهای اصلی:

  • تقویت‌کننده‌های RF

  • تقویت‌کننده‌های فرکانس بالا

  • مدارهای VHF/UHF

  • تجهیزات مخابراتی

  • گیرنده‌های رادیویی

  • فرستنده‌های کم‌توان

  • اسیلاتورهای RF

  • تقویت‌کننده IF

  • تجهیزات بی‌سیم

  • مدارهای نوسان‌ساز


✅ مزایا:

فرکانس کاری بالا

قابلیت عملکرد تا 7GHz برای کاربردهای مخابراتی و RF.

بهره جریان مناسب

hFE حدود 120 باعث تقویت مؤثر سیگنال می‌شود.

ابعاد کوچک

پکیج SOT-23 مناسب تجهیزات کوچک و فشرده است.

پایداری حرارتی بالا

محدوده دمای کاری گسترده از 65- تا 150+ درجه سانتی‌گراد.

مناسب مدارهای RF

ساختار بهینه برای فرکانس‌های بالا و کاهش تلفات انگلی.


🎯 جمع‌بندی:

2SC3356-A یک ترانزیستور RF نوع NPN سیلیکونی ساخت Renesas Technology است که دارای فرکانس کاری 7GHz، ولتاژ کلکتور-امیتر 12V، جریان کلکتور 100mA، بهره جریان hFE=120، توان تلفاتی 200mW، محدوده دمای کاری 65- تا 150+ درجه سانتی‌گراد و پکیج SOT-23 (SC-59) می‌باشد.

این قطعه به دلیل سرعت بالا، نویز پایین، ابعاد کوچک و عملکرد مناسب در فرکانس‌های رادیویی در تقویت‌کننده‌های RF، تجهیزات مخابراتی، مدارهای بی‌سیم و سیستم‌های فرکانس بالا مورد استفاده قرار می‌گیرد.



Features انتخاب ویژگی
Frequency 7 GHz =
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V =
DC Collector Current 100 mA =
Configuration Single
Gain-hfe 120 (β) =
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V =
Power Dissipation 200 mW =
Type Silicon RF Transistors
Mounting Style SMD
Minimum Operating Temperature -65 °C =
Maximum Operating Temperature +150 °C =
Brand Renesas Technology
Package SOT-23



نظرات

موجود در انبار
85
326,000 ریال
322,000 ریال
100 عدد
319,000 ریال
200 عدد
316,000 ریال
500 عدد
312,000 ریال
1,000 عدد