SI2301DS-T1

نام کارخانه‌ای:
SI2301DS-T1
مارکینگ:
A1SHB
پکیج:
SOT-23 (SC-59)
بسته‌بندی:
Tape & Reel - 3,000 عدد
عنوان گروه:
دیتاشیت:
توضیحات فروش:
تقریبا در هر بسته 3000 تایی 4 بار نوار قطع شده و جنس قدیمی می باشد

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات SI2301DS-T1

SI2301DS-T1 از خانواده ماسفت می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Vishay
  • پکیج SOT-23 (SC-59)
  • نوع نصب روی برد SMD/SMT
  • تعداد کانال 1 کانال
  • منفی یا مثبت P-Channel قطب
  • ولتاژ -20 ولت
  • جریان -2.3 آمپر
  • مقاومت 130 میلی اهم

SI2301DS-T1

یک ترانزیستور MOSFET کانال P با اندازه بسیار کوچک و راندمان بالا است که توسط Vishay تولید شده است. این قطعه در پکیج SOT-23 (SC-59) که یک بسته‌بندی SMD فوق‌العاده کوچک و پرکاربرد است، ارائه می‌شود. هدف اصلی آن استفاده در مدارهای قابل‌حمل و فشرده‌ای است که نیاز به سویچینگ بار با ولتاژ پایین تا متوسط و مدیریت توان دارند.


🧩 مشخصات کلی:

  • نوع: ترانزیستور ماسفت قدرت کم‌سیگنال

  • کانال: P-Channel

  • ولتاژ درین-سورس (Vds): -20V

  • جریان درین پیوسته (Id): -2.3A (در 25°C)

  • مقاومت روشن (Rds(on)): 130mΩ (معمولاً در Vgs= -4.5V)

  • نوع بسته‌بندی: SOT-23 (SC-59) (SMD/SMT)


⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

  • حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): -20V

  • جریان درین پیوسته (Id): -2.3A (در دمای محیط 25°C)

  • مقاومت درین-سورس روشن (Rds(on)): 130mΩ

  • توان قابل تحمل (Pd): 1.25W 


💡 کاربردهای اصلی:

  • سویچینگ بار (Load Switching) در مدارهای مدیریت قدرت (Power Management) دستگاه‌های قابل‌حمل مانند موبایل، تبلت و لوازم جانبی.

  • کنترل روشن/خاموش (Power ON/OFF) در ماژول‌های مختلف یک برد الکترونیکی.

  • محافظت در برابر اتصال معکوس باتری (Reverse Polarity Protection) در ورودی مدار.

  • سویچینگ در مسیر شارژ (Charge Path Switching) در مدارهای شارژر باتری.

  • مدارهای اینورتر منطقی سطح ولتاژ (Level Shifting).

  • درایور موتورهای DC کوچک یا سوئیچینگ ال‌ای‌دی‌ها در دستگاه‌های همراه.

  • مدارهای محافظ (Protection Circuits) در خطوط داده یا تغذیه.


✅ مزایا:

  • ابعاد فوق‌العاده کوچک (SOT-23): ایده‌آل برای طراحی‌های فشرده و قابل‌حمل.

  • مقاومت روشن بسیار پایین (Rds(on) < 100mΩ): تلفات هدایت کم و راندمان بالا، به ویژه برای جریان‌های تا 2 آمپر.

  • جریان قابل تحمل خوب: تا 2.3 آمپر در یک بسته کوچک، عملکرد چشمگیری دارد.

  • بار گیت بسیار پایین (~6.5nC): سویچینگ فوق‌سریع را با حداقل توان مصرفی درایور ممکن می‌سازد.

  • ولتاژ آستانه گیت پایین (Vgs(th)): امکان استفاده با خروجی‌های میکروکنترلرها و مدارهای منطقی با ولتاژ 3.3V یا 1.8V را فراهم می‌کند (با درایو مناسب).

  • مناسب برای کار با باتری: تلفات کم باعث افزایش عمر باتری می‌شود.


🎯 جمع‌بندی:

SI2301DS-T1 یک P-MOSFET کوچک، قدرتمند و با راندمان بالا است که ستون فقرات بسیاری از طراحی‌های مدیریت توان مدرن و قابل‌حمل محسوب می‌شود. ترکیب مقاومت روشن بسیار پایین، جریان نسبتاً بالا و بار گیت ناچیز آن را به یک کلید ایده‌آل برای قطع و وصل مسیر تغذیه در دستگاه‌های الکترونیکی مصرفی تبدیل کرده است. نقطه قوت اصلی آن حداکثر کارایی در حداقل فضا است. موفقیت در استفاده از آن مستلزم درک محدودیت‌های حرارتی ذاتی بسته‌بندی SOT-23 و طراحی مدار درایور ساده اما مناسب برای یک P-Channel است.



Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel =
Polarity P-Channel Type
Voltage (ds) -20 V =
Current (Id) -2.3 A =
Resistance (Rds) 130 =
Mounting Style SMD/SMT
Brand Vishay
Package SOT-23 (SC-59)




نظرات

موجود در انبار
85
78,600 ریال
77,800 ریال
100 عدد
77,400 ریال
200 عدد
77,000 ریال
500 عدد
76,600 ریال
1,000 عدد
75,800 ریال
3,000 عدد
75,400 ریال
9,000 عدد