BU508DF

نام کارخانه‌ای:
BU508DF
پکیج:
TO-218
بسته‌بندی:
Tube - 30 عدد
دیتاشیت:

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات BU508DF

BU508DF از خانواده ترانزیستور دو قطبی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Philips Semiconductor
  • پکیج TO-218
  • تعداد کانال 1 کانال
  • منفی یا مثبت NPN قطب
  • اتلاف قدرت 50 وات
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 700 ولت
  • جریان کلکتور 8 آمپر
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • فرکانس 7 مگا هرتز
  • حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد

BU508DF

یک ترانزیستور قدرت دو قطبی NPN ولتاژ بالا و سرعت بالا (High-Voltage High-Speed NPN Power BJT) از برند Philips Semiconductors است که به‌طور ویژه برای مدارهای انحراف افقی تلویزیون‌های رنگی CRT طراحی شده است. 

💡 کاربردهای اصلی:

  • مدار انحراف افقی تلویزیون‌های رنگی CRT

  • طبقه Horizontal Output

  • تلویزیون‌های CRT

  • مدارهای سوئیچینگ ولتاژ بالا

  • مدارهای Flyback و Horizontal Deflection

  • منابع تغذیه سوئیچینگ قدیمی

  • مدارهای قدرت با پالس‌های ولتاژ بالا

✅ مزایا:

  • ساختار NPN Power BJT

  • تحمل ولتاژ 700V

  • تحمل پیک ولتاژ تا 1500V

  • جریان Collector تا 8A

  • جریان پیک تا 15A

  • دارای Damper/Efficiency Diode داخلی

  • مناسب مدارهای Horizontal Deflection

  • مناسب سوئیچینگ ولتاژ بالا

  • دمای پیوند تا 150°C

🎯 جمع‌بندی:

BU508DF یک ترانزیستور قدرت NPN ولتاژ بالا از Philips Semiconductors است. این قطعه عمدتاً برای مدار انحراف افقی و طبقه خروجی تلویزیون‌های CRT طراحی شده و برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا نیز قابل استفاده بوده است. 



Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel ≤ = ≥
Polarity NPN Type
Collector Emitter Voltage (VCEO) 700 V ≤ = ≥
DC Collector Current 8 A ≤ = ≥
Gain Bandwidth Product (fT) 7 MHz ≤ = ≥
Power Dissipation 50 W ≤ = ≥
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 °C ≤ = ≥
Maximum Operating Temperature 150 °C ≤ = ≥
Brand Philips Semiconductor
Package TO-218



نظرات

موجود در انبار
76
2,598,000 ریال