SPP11N60C3
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته CoolMOS™ C3 است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با راندمان بالا در ولتاژهای بالا طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۶۰۰V
-
جریان درین پیوسته (I_D): ۱۱A (در ۲۵°C)
-
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۳۸۰mΩ (در V_GS = ۱۰V)
-
توان قابل تحمل (P_D): ۱۵۶W
-
مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۸°C/W
💡 کاربردهای اصلی:
✅ مزایا:
-
راندمان سوئیچینگ عالی: به لطف تکنولوژی CoolMOS C3
-
ولتاژ کاری بالا: ۶۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی
-
پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی مناسب
-
بار گیت پایین: ۳۵nC برای درایو ساده
-
سوئیچینگ سریع: کاهش تلفات سوئیچینگ
-
قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت
🎯 جمعبندی:
SPP11N60C3 یک MOSFET قدرت با عملکرد متعادل برای کاربردهای پرولتاژ است. این قطعه با بهرهگیری از تکنولوژی CoolMOS C3، تعادل مناسبی بین ولتاژ کاری بالا و قابلیت اطمینان ارائه میدهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم میکند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینهای ایدهآل برای پروژههای صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و عملکرد پایدار میباشد.