2N7000

2N7000 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
یک ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) کانال N با کاربرد عمومی و قیمت بسیار مقرون به‌صرفه است که توسط AUK Semiconductor تولید شده است. این قطعه برای سوییچینگ سیگنال‌های سطح پایین و کاربردهای عمومی الکترونیکی طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۶۰V

• جریان درین: ۲۰۰mA

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱٫۲Ω

• نوع بسته‌بندی: TO-92 (Through Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۶۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۲۰۰mA

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱٫۲Ω (در V_GS = ۱۰V)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۲۰V (حداکثر)

💡 کاربردهای اصلی:

• سوییچینگ سیگنال‌های سطح پایین

• درایورهای رله و سولنویید کوچک

• مدارهای منطقی و دیجیتال

• سوییچینگ LED و نمایشگرها

• مدارهای اینترفیس و بافر

• پروژه‌های آموزشی و نمونه‌سازی

✅ مزایا:

• قیمت بسیار پایین: مقرون به‌صرفه برای کاربردهای عمومی

• سوییچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای دیجیتال

• پکیج استاندارد: TO-92 برای نمونه‌سازی آسان

• راندمان خوب: تلفات سوییچینگ پایین

• سازگاری گسترده: جایگزین مستقیم برای 2N7000 سایر تولیدکنندگان

• محافظت ESD: مقاوم در برابر الکتریسیته ساکن

🎯 جمع‌بندی:

2N7000 یک MOSFET کانال N ساده و قابل اعتماد برای کاربردهای سوییچینگ سطح پایین است. اگرچه مشخصات فنی آن در مقایسه با MOSFETهای مدرن محدود به نظر می‌رسد، اما همچنان به دلیل قیمت پایین و قابلیت اطمینان بالا، گزینه‌ای محبوب برای پروژه‌های آموزشی و کاربردهای غیرحساس می‌باشد. این ترانزیستور برای سوییچینگ بارهای با جریان زیر ۲۰۰mA و ولتاژ تا ۶۰V ایده‌آل است. توجه به محدودیت‌های جریان و توان این قطعه برای جلوگیری از آسیب دیدن آن ضروری می‌باشد.