IRFD120PBF
یک ترانزیستور MOSFET کانال N است که توسط Vishay تولید شده است. این قطعه در پکیج دو ردیفه (Dual In-line) HEXDIP-4 ارائه میشود و راهحلی کلاسیک و قابل اعتماد برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ متوسط و جریان پایین در طراحیهای مبتنی بر نصب (Through-Hole) است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V
-
جریان درین پیوسته (Id): 1.3A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds): 270mΩ
-
نوع بستهبندی: HEXDIP-4 (Through-Hole)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V
-
جریان درین پیوسته (Id): 1.3A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds): 270mΩ
-
توان قابل تحمل (Pd): 1W (در 25°C)
💡 کاربردهای اصلی:
-
سوئیچینگ سیگنال و بارهای کوچک در سیستمهای مبتنی بر آیسیهای منطقی
-
درایورهای رله و سولنوئید کوچک
-
مدارهای رابط (Interface) و بافر
-
سوئیچینگ نمایشگرها و LEDها
-
مدارهای زمانبندی و نوسانساز
-
کاربردهای عمومی سوئیچینگ با توان پایین
-
پروژههای آموزشی و آزمایشگاهی
✅ مزایا:
-
پکیج DIP آشنا: HEXDIP-4 برای نمونهسازی اولیه و پروژههای آموزشی
-
ولتاژ کاری مناسب: 100 ولت برای کاربردهای عمومی
-
سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط
-
قابلیت اطمینان اثباتشده: عملکرد پایدار در طول دههها استفاده
-
نصب ساده: مناسب برای بردبرد (بردبورد) و پروژههای دستی
-
هزینه بهینه: راهحلی اقتصادی برای کاربردهای عمومی
-
امپدانس ورودی بالا: جریان گیت بسیار ناچیز
🎯 جمعبندی:
IRFD120PBF یک MOSFET کانال N کلاسیک و پرکاربرد در پکیج DIP است که ترکیب مناسبی از ولتاژ کاری (100V)، جریان پایین (1.3A) و پکیج سنتی را ارائه میدهد. این قطعه برای پروژههای آموزشی، نمونهسازی اولیه و کاربردهای عمومی سوئیچینگ سیگنال گزینهای ایدهآل محسوب میشود. پکیج HEXDIP-4 نصب و تست آن را بسیار ساده کرده و به یکی از انتخابهای محبوب در بین دانشجویان و علاقهمندان الکترونیک تبدیل شده است. این قطعه نمونهای استاندارد از یک سوئیچ حالت جامد ساده و قابل اعتماد برای مدارهای دیجیتال و آنالوگ سطح پایین میباشد.