لوگوی جوان الکترونیک فروشگاه اینترنتی جوان الکترونیک
  1. All Products
  2. Semiconductors
  3. Discrete Semiconductors
  4. Transistors
  5. MOSFET

SVF12N65F

نام کارخانه‌ای:
SVF12N65F
پکیج:
TO-220F-3
بسته‌بندی:
Tube - 50 عدد
عنوان گروه:
دیتاشیت:
روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه

مشخصات SVF12N65F

SVF12N65F از خانواده ماسفت می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Hangzhou Silan Microelectronics
  • پکیج TO-220F-3
  • مقاومت 800 میلی اهم
  • منفی یا مثبت N-Channel قطب
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • تعداد کانال 1 کانال
  • ولتاژ 650 ولت
  • جریان 12 آمپر

SVF12N65F

یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) کانال N تقویت‌شونده است که با تکنولوژی اختصاصی F-Cell™ ساختار VDMOS شرکت سیلان (Silan) تولید شده است. این تکنولوژی پیشرفته با بهینه‌سازی ساختار سلولی planar stripe و ترمینال guard ring، برای کاهش مقاومت حالت روشنی، ارائه عملکرد سوییچینگ برتر و تحمل پالس‌های انرژی بالا در حالت avalanche طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی

  • نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N (N-Channel Enhancement Mode)

  • تکنولوژی: F-Cell™ VDMOS

  • ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>): 650V

  • جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): 12A (در دمای 25°C)

  • مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>): 0.68Ω (تیپیکال در V<sub>GS</sub> = 10V)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی

پارامتر مقدار واحد
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>) 650 V
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>) 12 (در 25°C) - 9 (در 100°C) A
جریان درین پالسی (I<sub>DM</sub>) 48 A
مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>) 0.8 (ماکزیمم) Ω
ولتاژ آستانه گیت (V<sub>GS(th)</sub>) 2.0 تا 4.0 V
بار گیت کل (Q<sub>g</sub>) 24.15 (تیپیکال) nC
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GSS</sub>) ±30 V
توان اتلافی (P<sub>D</sub>) 51 (در T<sub>C</sub>=25°C) W

💡 کاربردهای اصلی

  • منابع تغذیه AC-DC

  • مبدل‌های DC-DC

  • درایورهای موتور PWM پل H (H-Bridge)

  • منابع تغذیه سوییچینگ صنعتی

✅ مزایا

  • ولتاژ بالا (650V): مناسب برای کاربردهای مستقیم با ورودی برق شهر.

  • مقاومت روشنی بسیار پایین (0.68Ω): تلفات هدایت را به حداقل می‌رساند.

  • جریان درین بالا (12A): قابلیت تحمل بارهای سنگین.

  • خازن فیدبک (C<sub>rss</sub>) بسیار کم (3.71 pF): کاهش نویز سوییچینگ و بهبود پایداری.

  • قابلیت تحمل انرژی Avalanche بالا (786 mJ): مناسب برای کاربردهای القایی.

  • سوییچینگ سریع: عملکرد بهینه در فرکانس‌های کاری.

🎯 جمع‌بندی

SVF12N65F یک MOSFET ولتاژ بالا و جریان بالا با کارایی قابل توجه است که آن را برای کاربردهای صنعتی و قدرتی مانند منابع تغذیه سوییچینگ و درایورهای موتور ایده‌آل می‌کند. ترکیب مقاومت روشنی بسیار پایین و سرعت سوییچینگ مناسب، تلفات توان را در حالت‌های هدایت و سوییچینگ به حداقل می‌رساند. بسته‌بندی TO-220F (عایق‌شده) آن، نصب را آسان و مدیریت حرارتی را کارآمد می‌کند. برای دستیابی به بهترین عملکرد و قابلیت اطمینان، طراحی مناسب درایور گیت و مدیریت حرارتی مؤثر (هیت سینک مناسب) ضروری است. این قطعه گزینه‌ای مقرون‌به‌صرفه و قدرتمند از یک تولیدکننده معتبر چینی است.



Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel ≤ = ≥
Polarity N-Channel Type
Voltage (ds) 650 V ≤ = ≥
Current (Id) 12 A ≤ = ≥
Resistance (Rds) 800 mΩ ≤ = ≥
Mounting Style Through Hole
Brand Hangzhou Silan Microelectronics
Package TO-220F-3



نظرات
ارسال نظر جدید
موجود در انبار
85
319,000 ریال
315,000 ریال
50 عدد
314,000 ریال
100 عدد
312,000 ریال
500 عدد
311,000 ریال
1,000 عدد
309,000 ریال
2,000 عدد