لوگوی جوان الکترونیک فروشگاه اینترنتی جوان الکترونیک
  1. All Products
  2. Semiconductors
  3. Discrete Semiconductors
  4. Transistors
  5. MOSFET

FQD11P06TM

نام کارخانه‌ای:
FQD11P06TM
پکیج:
TO-252 (D-PAK)
نوع قطعه:
کپی
بسته‌بندی:
Tape & Reel - 2,500 عدد
عنوان گروه:
دیتاشیت:
روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه

مشخصات FQD11P06TM

FQD11P06TM از خانواده ماسفت می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Fairchild Semiconductor
  • پکیج TO-252 (D-PAK)
  • نوع نصب روی برد SMD/SMT
  • تعداد کانال 1 کانال
  • منفی یا مثبت P-Channel قطب
  • ولتاژ -60 ولت
  • جریان -9.4 آمپر
  • مقاومت 185 میلی اهم

FQD11P06TM 

یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) کانال P تقویت‌شونده است که با تکنولوژی پیشرفته QFET و DMOS شرکت Fairchild ساخته شده است. این تکنولوژی ویژه برای کاهش مقاومت حالت روشنی، بهبود عملکرد سوییچینگ و افزایش استحکام در برابر انرژی Avalanche طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی

  • نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P (P-Channel Enhancement Mode)

  • تکنولوژی: QFET® (Planar Stripe DMOS)

  • ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>): 60- V

  • جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): 9.4- A (در دمای 25°C)

  • مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>): 185 mΩ (ماکزیمم در V<sub>GS</sub> = 10- V)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی

پارامتر مقدار واحد
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>) 60- V
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>) 9.4- (در 25°C) - 5.95- (در 100°C) A
جریان درین پالسی (I<sub>DM</sub>) 37.6- A
مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>) 185 (ماکزیمم) mΩ
ولتاژ آستانه گیت (V<sub>GS(th)</sub>) 2- تا 4- V
بار گیت کل (Q<sub>g</sub>) 13 (تیپیکال) nC
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GSS</sub>) ±30 V
توان اتلافی (P<sub>D</sub>) 38 (در T<sub>C</sub>=25°C) W

💡 کاربردهای اصلی

  • منبع تغذیه سوییچ‌مودی (SMPS)

  • آمپلیفایرهای صوتی (Audio Amplifier)

  • کنترل موتور DC

  • کاربردهای سوییچینگ قدرت متغیر

  • سوییچینگ بارهای با جریان بالا در سمت High-Side

✅ مزایا

  • مقاومت روشنی بسیار پایین (Low R<sub>DS(on)</sub>): تنها 185 میلی‌اهم - کاهش قابل توجه تلفات هدایت.

  • بار گیت پایین (Low Gate Charge): 13 نانوکولن - مناسب برای سوییچینگ پرسرعت با تلفات کم.

  • سوییچینگ سریع: عملکرد بهینه در فرکانس‌های بالا.

  • قابلیت تحمل انرژی Avalanche: 100% tested - مناسب برای کاربردهای القایی.

  • تحمل جریان پالسی بالا: تا 37.6- آمپر.

🎯 جمع‌بندی

FQD11P06TM یک MOSFET کانال P با کارایی بسیار بالا است که به لطف مقاومت روشنی بسیار کم و بار گیت پایین، گزینه‌ای ایده‌آل برای طراحی‌های مدرن سوییچینگ قدرت محسوب می‌شود. این قطعه به‌طور خاص برای کاربردهایی که به سوییچینگ سریع و تلفات کم نیاز دارند (مانند منابع تغذیه و درایورهای موتور) بهینه شده است. برای دستیابی به حداکثر کارایی و طول عمر، طراحی مناسب درایور گیت (برای شارژ و دشارژ سریع خازن گیت) و مدیریت حرارتی مؤثر (Heat Sink) ضروری است.



Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel ≤ = ≥
Polarity P-Channel Type
Voltage (ds) -60 V ≤ = ≥
Current (Id) -9.4 A ≤ = ≥
Resistance (Rds) 185 mΩ ≤ = ≥
Mounting Style SMD/SMT
Brand Fairchild Semiconductor
Package TO-252 (D-PAK)



نظرات
ارسال نظر جدید
موجود در انبار
78
75,400 ریال
74,600 ریال
200 عدد
73,800 ریال
500 عدد
73,500 ریال
1,000 عدد
73,100 ریال
2,500 عدد
72,300 ریال
10,000 عدد