K4S561632H-UI75

نام کارخانه‌ای:
K4S561632H-UI75
پکیج:
TSOP-54
نوع قطعه:
بازسازی شده
بسته‌بندی:
Tray - 108 عدد

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات K4S561632H-UI75

K4S561632H-UI75 از خانواده آی سی رم داینامیک می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Samsung Electronics
  • پکیج TSOP-54
  • حداکثر ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
  • سازمان 16M x 16
  • زمان دسترسی 7.5 نانو ثانیه
  • مقدار حافظه 256 مگا بیت
  • نوع نصب روی برد SMD
  • حداکثر فرکانس کاری 166 مگا هرتز
  • نوع SDRAM
  • عرض گذرگاه داده 16 بیت

K4S561632H-UI75
یک آیسی حافظه SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory) با ظرفیت ۲۵۶ مگابیت از خانواده پرکاربرد SDR SDRAM است که توسط Samsung Electronics تولید شده است. این قطعه در پکیج TSOP-54 برای نصب سطحی (SMD/SMT) عرضه می‌شود و یک حافظه ۲۵۶ مگابیت (16M × ۱۶) با فرکانس کاری ۱۶۶ مگاهرتز و زمان دسترسی ۷.۵ نانوثانیه است. این حافظه با پهنای گذرگاه ۱۶ بیتی و ولتاژ ۳.۳ ولت، گزینه‌ای ایده آل برای سیستم‌های نهفته، تجهیزات شبکه، روترها و کاربردهایی است که به پهنای باند بالا، ظرفیت مناسب و مصرف انرژی کم نیاز دارند.

🧩 مشخصات کلی:

  • نوع: SDR SDRAM (حافظه دینامیک هم‌زمان با دسترسی تصادفی – Single Data Rate)

  • ظرفیت: ۲۵۶ مگابیت (معادل ۳۲ مگابایت)

  • سازمان‌دهی: 16M × ۱۶ (16 میلیون کلمه ۱۶ بیتی) – هر تراشه به‌تنهایی یک گذرگاه ۱۶ بیتی را پشتیبانی می‌کند

  • حداکثر فرکانس کاری: ۱۶۶ مگاهرتز – پهنای باند مؤثر ۳۳۳ مگابایت بر ثانیه (PC166)

  • زمان دسترسی (Access Time): ۷.۵ نانوثانیه (تاخیر CAS معمولی CL3) – تأخیر کم

  • پهنای گذرگاه داده: ۱۶ بیت – امکان اتصال یک یا دو تراشه برای تشکیل گذرگاه‌های ۱۶ یا ۳۲ بیتی

  • ولتاژ تغذیه (VDD): حداکثر ۳.۶ ولت (معمولاً ۳.۳ ولت) – استاندارد LVTTL با مصرف توان پایین

  • نوع بسته‌بندی: TSOP-54 (SMD/SMT) – پکیج باریک ۵۴ پایه، سازگار با فرآیندهای مونتاژ صنعتی

  • دمای کاری: ۰ تا +۷۰ درجه سانتی‌گراد (کامرشال)

  • برند: Samsung Electronics – از معتبرترین و بزرگترین تولیدکنندگان حافظه‌های DRAM در جهان

💡 کاربردهای اصلی:

  • روترها، سوئیچ‌ها و تجهیزات شبکه: بافرینگ بسته‌ها، جداول مسیریابی و پردازش ترافیک

  • سیستم‌های نهفته پیشرفته: پردازنده‌های ARM، PowerPC و MIPS که نیاز به حافظه SDRAM با پهنای باند بالا دارند

  • تجهیزات مخابراتی: ایستگاه‌های پایه، مودم‌های DSL، سیستم‌های VoIP و کارت‌های خط

  • کارت‌های توسعه حافظه و ماژول‌های DIMM/SODIMM قدیمی: افزایش حافظه در کامپیوترهای تک‌بردی و سرورهای رک‌مونت

  • پروژه‌های DIY و نمونه‌سازی: به دلیل پکیج TSOP که کار با آن را برای نمونه‌سازی آسان می‌کند

  • تعمیرات و بازسازی: جایگزینی حافظه‌های معیوب در سیستم‌های صنعتی و تجهیزات قدیمی

 مزایا:

  • سازمان‌دهی 16M × ۱۶ با گذرگاه ۱۶ بیتی: کاهش تعداد تراشه‌های مورد نیاز و ساده‌سازی طراحی بانک حافظه

  • فرکانس ۱۶۶ مگاهرتز: پهنای باند بالا نسبت به SDRAMهای معمولی ۱۳۳ مگاهرتز

  • زمان دسترسی ۷.۵ نانوثانیه: تأخیر کم، مناسب برای کاربردهای حساس به زمان پاسخ

  • برند Samsung: نماد کیفیت، قابلیت اطمینان و طول عمر بالا

  • پکیج TSOP-54: نصب SMD آسان و سازگاری با فرآیندهای مونتاژ استاندارد

🎯 جمع‌بندی:
K4S561632H-UI75 یک تراشه حافظه SDR SDRAM با ظرفیت ۲۵۶ مگابیت (16M × ۱۶) از سامسونگ در پکیج TSOP-54 است. این قطعه با فرکانس ۱۶۶ مگاهرتز، زمان دسترسی ۷.۵ نانوثانیه و ولتاژ ۳.۳ ولت، یک راه‌حل سریع، کم‌مصرف و با چگالی بالا برای ذخیره‌سازی داده‌ها در سیستم‌های نهفته، تجهیزات شبکه و مخابراتی است. K4S561632H-UI75 با بهره‌گیری از فناوری پیشرفته سامسونگ، ترکیبی از کارایی، پایداری و ارزش اقتصادی را برای مهندسانی که به دنبال یک حافظه SDRAM استاندارد و پرسرعت با گذرگاه ۱۶ بیتی هستند، به ارمغان می‌آورد.



Features انتخاب ویژگی
Memory Size 256 Mbit =
Organization 16M x 16
Maximum Clock Frequency 166 MHz =
Access Time 7.5 ns =
Data Bus Width 16 bit
Type SDRAM
Mounting Style SMD
Supply Voltage (Max) 3.6 V =
Minimum Operating Temperature 0 °C =
Maximum Operating Temperature +70 °C =
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-54



نظرات

موجود در انبار
82
1,256,000 ریال
1,243,000 ریال
20 عدد
1,230,000 ریال
50 عدد
1,218,000 ریال
108 عدد
1,193,000 ریال
200 عدد