K4S561632H-UI75
یک آیسی حافظه SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory) با ظرفیت ۲۵۶ مگابیت از خانواده پرکاربرد SDR SDRAM است که توسط Samsung Electronics تولید شده است. این قطعه در پکیج TSOP-54 برای نصب سطحی (SMD/SMT) عرضه میشود و یک حافظه ۲۵۶ مگابیت (16M × ۱۶) با فرکانس کاری ۱۶۶ مگاهرتز و زمان دسترسی ۷.۵ نانوثانیه است. این حافظه با پهنای گذرگاه ۱۶ بیتی و ولتاژ ۳.۳ ولت، گزینهای ایده آل برای سیستمهای نهفته، تجهیزات شبکه، روترها و کاربردهایی است که به پهنای باند بالا، ظرفیت مناسب و مصرف انرژی کم نیاز دارند.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: SDR SDRAM (حافظه دینامیک همزمان با دسترسی تصادفی – Single Data Rate)
-
ظرفیت: ۲۵۶ مگابیت (معادل ۳۲ مگابایت)
-
سازماندهی: 16M × ۱۶ (16 میلیون کلمه ۱۶ بیتی) – هر تراشه بهتنهایی یک گذرگاه ۱۶ بیتی را پشتیبانی میکند
-
حداکثر فرکانس کاری: ۱۶۶ مگاهرتز – پهنای باند مؤثر ۳۳۳ مگابایت بر ثانیه (PC166)
-
زمان دسترسی (Access Time): ۷.۵ نانوثانیه (تاخیر CAS معمولی CL3) – تأخیر کم
-
پهنای گذرگاه داده: ۱۶ بیت – امکان اتصال یک یا دو تراشه برای تشکیل گذرگاههای ۱۶ یا ۳۲ بیتی
-
ولتاژ تغذیه (VDD): حداکثر ۳.۶ ولت (معمولاً ۳.۳ ولت) – استاندارد LVTTL با مصرف توان پایین
-
نوع بستهبندی: TSOP-54 (SMD/SMT) – پکیج باریک ۵۴ پایه، سازگار با فرآیندهای مونتاژ صنعتی
-
دمای کاری: ۰ تا +۷۰ درجه سانتیگراد (کامرشال)
-
برند: Samsung Electronics – از معتبرترین و بزرگترین تولیدکنندگان حافظههای DRAM در جهان
💡 کاربردهای اصلی:
-
روترها، سوئیچها و تجهیزات شبکه: بافرینگ بستهها، جداول مسیریابی و پردازش ترافیک
-
سیستمهای نهفته پیشرفته: پردازندههای ARM، PowerPC و MIPS که نیاز به حافظه SDRAM با پهنای باند بالا دارند
-
تجهیزات مخابراتی: ایستگاههای پایه، مودمهای DSL، سیستمهای VoIP و کارتهای خط
-
کارتهای توسعه حافظه و ماژولهای DIMM/SODIMM قدیمی: افزایش حافظه در کامپیوترهای تکبردی و سرورهای رکمونت
-
پروژههای DIY و نمونهسازی: به دلیل پکیج TSOP که کار با آن را برای نمونهسازی آسان میکند
-
تعمیرات و بازسازی: جایگزینی حافظههای معیوب در سیستمهای صنعتی و تجهیزات قدیمی
✅ مزایا:
-
سازماندهی 16M × ۱۶ با گذرگاه ۱۶ بیتی: کاهش تعداد تراشههای مورد نیاز و سادهسازی طراحی بانک حافظه
-
فرکانس ۱۶۶ مگاهرتز: پهنای باند بالا نسبت به SDRAMهای معمولی ۱۳۳ مگاهرتز
-
زمان دسترسی ۷.۵ نانوثانیه: تأخیر کم، مناسب برای کاربردهای حساس به زمان پاسخ
-
برند Samsung: نماد کیفیت، قابلیت اطمینان و طول عمر بالا
-
پکیج TSOP-54: نصب SMD آسان و سازگاری با فرآیندهای مونتاژ استاندارد
🎯 جمعبندی:
K4S561632H-UI75 یک تراشه حافظه SDR SDRAM با ظرفیت ۲۵۶ مگابیت (16M × ۱۶) از سامسونگ در پکیج TSOP-54 است. این قطعه با فرکانس ۱۶۶ مگاهرتز، زمان دسترسی ۷.۵ نانوثانیه و ولتاژ ۳.۳ ولت، یک راهحل سریع، کممصرف و با چگالی بالا برای ذخیرهسازی دادهها در سیستمهای نهفته، تجهیزات شبکه و مخابراتی است. K4S561632H-UI75 با بهرهگیری از فناوری پیشرفته سامسونگ، ترکیبی از کارایی، پایداری و ارزش اقتصادی را برای مهندسانی که به دنبال یک حافظه SDRAM استاندارد و پرسرعت با گذرگاه ۱۶ بیتی هستند، به ارمغان میآورد.