FJP13009H2TU
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع NPN است که توسط Fairchild Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج صنعتی TO-220AB ارائه میشود و یک ترانزیستور سوییچینگ ولتاژ بالا با جریان دهی بسیار بالا و توان حرارتی استثنایی محسوب میشود که برای کاربردهای صنعتی سنگین و پرتوان طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت دوقطبی (BJT) سوییچینگ ولتاژ بالا
-
قطبیت: NPN
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 400V
-
جریان کلکتور پیوسته (Ic): 12A
-
اتلاف توان (Pd): 100W (در دمای 25°C کیس)
-
فرکانس قطع (fT): 4MHz
-
نوع بستهبندی: TO-220AB (Through-Hole، با فلنج فلزی برای اتصال به هیتسینک)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 400V
-
حداکثر جریان کلکتور (Ic): 12A
-
حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 100W
-
فرکانس قطع (fT): 4MHz
-
دامنه دمای عملیاتی پیوند (Junction): -55°C تا +150°C
💡 کاربردهای اصلی:
-
سوییچ اصلی (High-Voltage Switch) در منابع تغذیه سوئیچینگ آفلاین (Offline SMPS) صنعتی با توان متوسط تا بالا.
-
بالاست الکترونیکی (Electronic Ballast) برای لامپهای تخلیه گازی پرتوان (HID).
-
اینورترهای ولتاژ بالا برای درایو موتور، سیستمهای UPS و جوشکاری.
-
کنترلرهای روشنایی صنعتی.
-
سیستمهای جوشکاری و برش پلاسما.
-
منابع تغذیه سرور و تجهیزات مخابراتی.
✅ مزایا:
-
ترکیب خارقالعاده ولتاژ، جریان و توان: 400V، 12A و 100W، آن را به یک غول واقعی در بین ترانزیستورهای TO-220AB تبدیل میکند.
-
ولتاژ شکست بسیار بالا (400V): امکان کار مستقیم با باس DC ولتاژ بالا (پس از یکسوسازی خط برق) را با حاشیه امنیت مناسب فراهم میکند.
-
جریان کلکتور استثنایی (12A): قابلیت کنترل بارهای با جریان بسیار بالا.
-
اتلاف توان فوقالعاده (100W): بالاترین رده در بین ترانزیستورهای TO-220AB متعارف.
-
سرعت سوییچینگ نسبتاً خوب برای BJT ولتاژ بالا (4MHz): امکان کار در فرکانسهای سوییچینگ دهها کیلوهرتز را میدهد.
-
پکیج TO-220AB: استاندارد صنعتی، اما با نیاز مبرم به هیتسینک بسیار بزرگ.
🎯 جمعبندی:
FJP13009H2TU یک ترانزیستور قدرت NPN ولتاژ بالا و پرجریان از رده سنگینوزنها است که مرزهای عملکرد یک ترانزیستور BJT در پکیج TO-220AB را جستجو میکند. این قطعه برای کاربردهای سوییچینگ صنعتی سنگینی که به ولتاژ 400 ولت و جریانهای بسیار بالا (تا 12 آمپر) نیاز دارند طراحی شده است. استفاده موفقیتآمیز از آن مستلزم دانش عمیق، طراحی دقیق درایور بیس بسیار قوی و مهندسی حرارتی در سطح بالا است. این ترانزیستور نماینده نهایی نسل ترانزیستورهای BJT سوییچینگ پرتوان پیش از تسلط کامل IGBT ها و MOSFET های ولتاژ بالا است و در کاربردهای خاص و تعمیرات تجهیزات صنعتی قدیمیتر ممکن است دیده شود.