IRFB3207Z

IRFB3207Z
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با قابلیت‌های استثنایی در جریان‌دهی و مقاومت فوق‌العاده پایین است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ فوق‌پرتوا با نیاز به تلفات بسیار پایین طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۷۵V

• جریان درین پیوسته: ۱۷۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۳٫۳mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۷۵V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۷۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۳٫۳mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۳۳۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۴°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ فوق‌پرتوا

• درایورهای موتور DC و سروو با جریان بسیار بالا

• سیستم‌های تبدیل توان خودرویی

• مبدل‌های DC-DC با جریان فوق‌العاده بالا

• سیستم‌های جریان بالا در صنایع سنگین

• کنترل‌کننده‌های توان صنعتی

✅ مزایا:

• مقاومت روشن فوق‌العاده پایین: تنها ۳٫۳ میلی‌اهم - کمترین تلفات هدایت

• جریان‌دهی استثنایی: ۱۷۰ آمپر پیوسته

• پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی عالی

• سوئیچینگ کارآمد: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• راندمان بی‌نظیر: تلفات توان بسیار پایین

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

IRFB3207Z یک MOSFET قدرت با عملکرد فوق‌العاده در کلاس خود محسوب می‌شود. این قطعه با ترکیب مقاومت RDS(on) فوق‌العاده پایین (۳٫۳mΩ) و قابلیت جریان‌دهی ۱۷۰ آمپری، راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای بسیار پرتوان با نیاز به راندمان بسیار بالا ارائه می‌دهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان بسیار بالا مناسب است. توجه به طراحی دقیق درایور گیت (با توجه به بار گیت ۲۱۰nC) و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای برتر برای پروژه‌های صنعتی نیازمند جریان بسیار بالا و راندمان استثنایی می‌باشد.