IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با قابلیت درایو توسط سطح منطقی (Logic Level) و طراحی فوق فشرده است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج SOT-23 برای کاربردهای سوئیچینگ کم‌توان و فضامحدود طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: P-Channel

• ولتاژ درین-سورس: -۳۰V

• جریان درین پیوسته: -۳A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۹۸mΩ

• نوع بسته‌بندی: SOT-23 (SC-59)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۳۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): -۳A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۹۸mΩ (در V_GS = -۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۱٫۳W

• مقاومت حرارتی (R_θJA): ۱۵۰°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• سوییچینگ ساید-های (High-Side) در سیستم‌های پرتابل

• مدیریت توان در دستگاه‌های مبتنی بر باتری

• مدارهای قطع و وصل بار (Load Switch)

• کنترل‌کننده‌های شارژ باتری

• سیستم‌های Power Management

• کاربردهای عمومی الکترونیک در فضای محدود

✅ مزایا:

• قابلیت درایو با سطح منطقی: عملکرد در V_GS = -۲٫۵V

• پکیج فوق فشرده: SOT-23 برای طراحی‌های کامپکت

• بار گیت پایین: ۱۵nC برای درایو ساده

• سوییچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای دیجیتال

• ولتاژ کاری بالاتر: -۳۰ ولت برای انعطاف‌پذیری بیشتر

• هزینه بهینه: مقرون به‌صرفه برای کاربردهای انبوه

🎯 جمع‌بندی:

IRLML5203TRPBF یک MOSFET کانال P منطقی با ابعاد فوق فشرده و کارایی مناسب برای کاربردهای کم‌توان است. این قطعه با قابلیت درایو مستقیم توسط خروجی میکروکنترلرها و پکیج بسیار کوچک SOT-23، راه‌حلی ایده‌آل برای طراحی‌های مدرن فشرده ارائه می‌دهد. ولتاژ کاری -۳۰ ولتی آن امکان استفاده در طیف وسیع‌تری از کاربردها را فراهم می‌کند. توجه به محدودیت‌های حرارتی ذاتی پکیج SOT-23 برای جلوگیری از بیش از حد گرم شدن ضروری می‌باشد. این ترانزیستور گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های پرتابل و فضامحدود نیازمند سوییچینگ ساید-های می‌باشد.