IPB072N15N3G

IPB072N15N3 G 

یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) کانال N با تکنولوژی پیشرفته OptiMOS™ 3 است که توسط شرکت Infineon تولید شده است. این نسل از تکنولوژی با تمرکز بر بهینه‌سازی محصول $R_{DS(on)}\times Q_g$ (Figure of Merit) طراحی شده تا کارایی بی‌نظیری در کاربردهای سوییچینگ پرسرعت ارائه دهد.

🧩 مشخصات کلی

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N (N-Channel Enhancement Mode)

• تکنولوژی: OptiMOS™ 3

• ولتاژ درین-سورس ($V_{DSS}$VDSS​): 150 V

• جریان درین پیوسته ($I_D$ID​): 100 A (در دمای 25°C)

💡 کاربردهای اصلی

• سوییچینگ فرکانس بالا (High-Frequency Switching)

• یکسوسازی همزمان (Synchronous Rectification) در منابع تغذیه

• مبدل‌های DC-DC پرتوان و کارآمد

• درایورهای موتور و اینورترهای صنعتی

• سیستم‌های جوشکاری و پلاسمای صنعتی

✅ مزایا

• محصول $R_{DS(on)}\times Q_g$ عالی: کارایی بی‌نظیر در فرکانس‌های بالا.

• دمای کاری بالا (175°C): قابلیت اطمینان در شرایط سخت.

• سوییچینگ بسیار سریع: بهینه برای فرکانس‌های کاری بالا.

• قابلیت تحمل انرژی Avalanche بالا (780 mJ): مناسب برای کاربردهای القایی.

• خازن فیدبک ($C_{rss}$Crss​) بسیار کم (10 pF): کاهش نویز و بهبود پایداری.

• مقاومت حرارتی بسیار پایین (0.5°C/W): مدیریت حرارتی استثنایی.

🎯 جمع‌بندی

IPB072N15N3 G نماینده‌ای از پیشرفته‌ترین تکنولوژی MOSFET در کلاس خود است که مرزهای کارایی را جابجا کرده است. این قطعه با ترکیب مقاومت روشنی بسیار پایین، سرعت سوییچینگ فوق‌العاده و مدیریت حرارتی برتر، انتخابی ایده‌آل برای طراحی‌های مدرن و پرچالش است.