IRLL2705TRPBF

IRLL2705TRPBF

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N از سری HEXFET است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در یک پکیج فشرده SMD ارائه می‌شود و راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط در فضای محدود بردهای مدار چاپی است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 55V

• جریان درین پیوسته (Id): 3.8A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 40mΩ 

• نوع بسته‌بندی: SOT-223 (SMD/SMT)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 55V

• جریان درین پیوسته (Id): 3.8A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 40mΩ 

• توان قابل تحمل (Pd): 2W (در 25°C)

💡 کاربردهای اصلی:

• سوئیچینگ بار در سیستم‌های مبتنی بر میکروکنترلر

• درایورهای موتورهای DC کوچک

• مدارهای کنترل رله و سولنوئید

• مبدل‌های DC-DC با توان پایین

• مدیریت توان در دستگاه‌های قابل حمل (Portable Devices)

• مدارهای محافظت (Load Switch)

• کاربردهای عمومی سوئیچینگ در فضای محدود

✅ مزایا:

• پکیج فشرده SOT-223: ایده‌آل برای طراحی‌های با تراکم بالا و صرفه‌جویی در فضای برد

• مقاومت روشن پایین: ۴۰ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم و راندمان بالا

• سطح آستانه ولتاژ گیت پایین (Logic Level): امکان درایو مستقیم با خروجی‌های میکروکنترلر (3.3V یا 5V)

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قابلیت اطمینان بالا: فناوری HEXFET تضمین‌کننده عملکرد پایدار

• نصب سطحی (SMD): مناسب برای تولید انبوه با استفاده از فرآیند مونتاژ ماشینی

🎯 جمع‌بندی:
IRLL2705TRPBF یک MOSFET کانال N قابل اعتماد و کارآمد در یک پکیج فشرده SMD است. پایین بودن ولتاژ آستانه گیت آن، این قطعه را به گزینه‌ای ایده‌آل برای سوئیچینگ مستقیم با میکروکنترلرها تبدیل می‌کند. ترکیب مقاومت روشن کم و اندازه کوچک، آن را برای طیف وسیعی از کاربردهای کنترل بار با توان متوسط در فضای محدود مناسب ساخته است. با توجه به توان قابل تحمل و مقاومت حرارتی آن، در کاربردهایی با جریان کامل، توجه به مدیریت حرارتی از طریق مسیرهای مسی مناسب روی برد مدار چاپی (PCB Heatsinking) ضروری است.