IPP075N15N3G

IPP075N15N3G
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته OptiMOS™ 3 است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ پرسرعت با راندمان بسیار بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۱۵۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۰۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۶٫۴mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۱۵۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۰۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۶٫۴mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۳۰۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۵°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ بسیار پرتوان (SMPS)

• مبدل‌های DC-DC با جریان بسیار بالا

• سیستم‌های تبدیل توان خودرویی

• درایورهای موتور DC و سروو قدرتمند

• سیستم‌های UPS صنعتی

• منابع تغذیه سرور و مراکز داده

✅ مزایا:

• مقاومت روشن فوق‌العاده پایین: تنها ۶٫۴ میلی‌اهم - کمترین تلفات هدایت

• جریان‌دهی استثنایی: ۱۰۰ آمپر پیوسته

• راندمان سوئیچینگ عالی: به لطف تکنولوژی OptiMOS 3

• پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی عالی

• سوئیچینگ بسیار سریع: کاهش تلفات سوئیچینگ

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

IPP075N15N3G یک MOSFET قدرت با عملکرد استثنایی در کلاس خود محسوب می‌شود. این قطعه با ترکیب مقاومت RDS(on) فوق‌العاده پایین (۶٫۴mΩ) و قابلیت جریان‌دهی ۱۰۰ آمپری، راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای بسیار پرتوان با نیاز به راندمان حداکثری ارائه می‌دهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان بسیار بالا مناسب است. توجه به طراحی دقیق درایور گیت (با توجه به بار گیت ۱۵۰nC) و استفاده از هیت‌سینک بسیار قوی برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای برتر برای پروژه‌های صنعتی نیازمند جریان بسیار بالا و راندمان استثنایی می‌باشد.