FDPF18N50

FDPF18N50
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با ولتاژ متوسط و قابلیت‌های سوئیچینگ کارآمد است که توسط Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از ON Semiconductor) تولید شده است. این قطعه از تکنولوژی UniFET™ بهره می‌برد و برای کاربردهای سوئیچینگ پرتوان در منابع تغذیه مدرن طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۵۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۸A (در ۲۵°C)

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۰٫۲۶۵Ω (ماکزیمم)

• نوع بسته‌بندی: TO-220F (ایزوله شده)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۰٫۲۲۰Ω (تیپیکال در V_GS = ۱۰V)

• بار گیت کل (Q_g): ۴۵nC (تیپیکال)

• خازن انتقال معکوس (C_rss): ۲۵pF (تیپیکال)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۳۰V

• آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): ۳٫۰-۵٫۰V

• انرژی آوالانش (E_AS): ۹۴۵mJ

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۳٫۳°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه تلویزیون‌های LCD/LED/PDP

• سیستم‌های روشنایی

• منابع تغذیه بدون وقفه (UPS)

• مبدل‌های PFC (اصلاح ضریب توان)

• بالاست‌های الکترونیکی لامپ

• منابع تغذیه صنعتی

✅ مزایا:

• مقاومت روشن پایین: بازدهی بالاتر در هدایت

• بار گیت کم: امکان درایو ساده و سریع

• تست ۱۰۰٪ آوالانش: قابلیت اطمینان بالا در شرایط استرس

• خازن‌های پایین: عملکرد سوئیچینگ سریع‌تر

• پکیج ایزوله: TO-220F برای نصب آسان بدون نیاز به عایق

• تکنولوژی UniFET™: بهینه‌شده برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت

🎯 جمع‌بندی:

FDPF18N50 یک MOSFET قدرت با عملکرد متعادل و قابلیت اطمینان بالا برای کاربردهای سوئیچینگ صنعتی است. این قطعه با ترکیب مقاومت روشن پایین، بار گیت کم و قابلیت تحمل آوالانش بالا، راه‌حلی ایده‌آل برای طراحی‌های مدرن منابع تغذیه ارائه می‌دهد. پکیج ایزوله TO-220F امکان نصب مکانیکی ساده‌تر را فراهم می‌کند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و مدیریت حرارتی برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای بهینه برای پروژه‌های نیازمند تعادل بین عملکرد و هزینه می‌باشد.