SPA06N80C3
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با ولتاژ بسیار بالا و بهرهگیری از تکنولوژی CoolMOS™ C3 است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ پرولتاژ با راندمان بهینه طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۸۰۰V
-
جریان درین پیوسته (I_D): ۶A (در ۲۵°C)
-
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۰٫۷۸Ω (در V_GS = ۱۰V)
-
توان قابل تحمل (P_D): ۱۵۶W
💡 کاربردهای اصلی:
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری بسیار بالا: قابلیت کار در مدارهای ۸۰۰ ولتی
-
راندمان سوئیچینگ عالی: به لطف تکنولوژی CoolMOS C3
-
بار گیت پایین: ۲۴nC برای درایو ساده
-
پکیج ایزوله: TO-220F برای نصب آسان
-
سوئیچینگ سریع: کاهش تلفات سوئیچینگ
-
مقاوم در برابر آوالانش: قابلیت اطمینان بالا
🎯 جمعبندی:
SPA06N80C3 یک MOSFET قدرت با عملکرد بهینه برای کاربردهای پرولتاژ صنعتی است. این قطعه با تکنولوژی CoolMOS C3 و مشخصات متعادل، راهحلی ایدهآل برای طراحیهای نیازمند ولتاژ بالا و راندمان مناسب ارائه میدهد. پکیج ایزوله TO-220F امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم میکند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد این ترانزیستور ضروری است.