IRF3710STRLPBF

IRF3710STRLPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با قابلیت‌های فوق‌العاده در جریان‌دهی و مقاومت بسیار پایین است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ پرتوان با نیاز به تلفات بسیار پایین طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۱۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۵۷A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۲۳mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-263AB (D2PAK)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۱۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۵۷A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۲۳mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۲۰V

• آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): ۲-۴V

• بار گیت کل (Q_g): ۱۱۰nC (تیپیکال)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲۰۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۴۵°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ پرتوان

• درایورهای موتور DC و سروو

• سیستم‌های تبدیل توان خودرویی

• مبدل‌های DC-DC با جریان بالا

• سیستم‌های جریان بالا در سرورها

• کنترل‌کننده‌های توان صنعتی

✅ مزایا:

• مقاومت روشن بسیار پایین: تنها ۲۳ میلی‌اهم - تلفات هدایت حداقلی

• جریان‌دهی استثنایی: ۵۷ آمپر پیوسته

• پکیج D2PAK: مدیریت حرارتی عالی و قابلیت اتوماسیون

• سوئیچینگ کارآمد: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• راندمان فوق‌العاده: تلفات توان بسیار پایین

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

IRF3710STRLPBF یک MOSFET قدرت با عملکرد بی‌نظیر در کلاس خود است. این قطعه با ترکیب مقاومت RDS(on) بسیار پایین (۲۳mΩ) و قابلیت جریان‌دهی ۵۷ آمپری، راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای پرتوان با نیاز به راندمان بالا ارائه می‌دهد. پکیج D2PAK امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم کرده و برای تولیدات انبوه مناسب است. توجه به طراحی دقیق درایور گیت (با توجه به بار گیت ۱۱۰nC) و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است.