IRFR3710ZTRPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N از سری HEXFET است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج سطحبندی شده D-PAK ارائه میشود و با ترکیب خارقالعادهای از جریان بسیار بالا و مقاومت روشن فوقالعاده پایین، راهحلی استثنایی برای کاربردهای سوئیچینگ پرتوان با تلفات حداقلی ارائه میدهد.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V
-
جریان درین پیوسته (Id): 42A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 18mΩ
-
نوع بستهبندی: TO-252 (DPAK) (SMD/SMT)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V
-
جریان درین پیوسته (Id): 42A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 18mΩ
-
توان قابل تحمل (Pd): 140W
💡 کاربردهای اصلی:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با توان بسیار بالا
-
درایورهای موتور DC و براشلس (BLDC) پرقدرت
-
سیستمهای کنترل توان صنعتی
-
مبدلهای DC-DC سینک و باک (Sync & Buck Converters) پرجریان
-
سیستمهای UPS و اینورتر صنعتی
-
کنترلرهای شارژ باتری با جریان بالا
-
سیستمهای جابجایی بار (Load Switching) فوقالعاده پرقدرت
✅ مزایا:
-
مقاومت روشن فوقالعاده پایین: تنها ۱۸ میلیاهم که منجر به تلفات هدایت حداقلی و راندمان حرارتی برتر میشود
-
جریان عبوری بسیار بالا: قابلیت تحمل جریان ۴۲ آمپری، آن را برای کاربردهای فوقپرقدرت ایدهآل میکند
-
سوئیچینگ کارآمد: بهینهشده برای کاربردهای فرکانس بالا با تلفات سوئیچینگ پایین
-
پکیج DPAK پیشرفته: طراحی شده برای نصب سطحی با قابلیت مدیریت حرارتی استثنایی از طریق تَب (Tab) فلزی
-
راندمان حرارتی برتر: اتلاف حرارتی بسیار پایین حتی در جریانهای بالا
-
دیود بدنۀ داخلی: دارای دیود بدنۀ بازیابی سریع برای کاربردهای سوییچینگ القایی
-
قابلیت اطمینان بالا: فناوری HEXFET تضمینکننده عملکرد پایدار در شرایط کاری سخت
🎯 جمعبندی:
IRFR3710ZTRPBF یک ابرموزفت (Super MOSFET) با قابلیتهای استثنایی است که با مقاومت روشن فوقالعاده پایین (18mΩ) و جریان عبوری بسیار بالا (42A)، استانداردهای جدیدی برای کارایی در پکیج DPAK تعیین میکند. این قطعه برای طراحیهایی که به حداکثر راندمان و حداقل تلفات در کاربردهای پرجریان نیاز دارند، گزینهای بینظیر محسوب میشود. با توجه به توان قابل تحمل ۱۴۰ واتی، مدیریت حرارتی دقیق از طریق طراحی بهینه PCB و استفاده از هیتسینک مناسب برای بهرهبرداری کامل از قابلیتهای این ترانزیستور کاملاً ضروری است. این قطعه نمونهای درخشان از تلفیق قدرت فوقالعاده با تکنولوژی نصب سطحی برای پیشرفتهترین کاربردهای صنعتی است.