IRFU9120NPBF

IRFU9120NPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با طراحی بهینه برای کاربردهای عمومی است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج TO-251 برای کاربردهای سوئیچینگ ساید-های (High-Side) طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: P-Channel

• ولتاژ درین-سورس: -۲۰V

• جریان درین پیوسته: -۶٫۶A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۴۸۰mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-251 (IPAK)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۲۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): -۶٫۶A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۴۸۰mΩ (در V_GS = -۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۴۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۳°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• سوییچینگ ساید-های (High-Side) در منابع تغذیه

• کنترل‌کننده‌های موتور DC کوچک

• سیستم‌های مدیریت باتری

• مدارهای قطع و وصل بار (Load Switch)

• مبدل‌های DC-DC

• کاربردهای عمومی صنعتی

✅ مزایا:

• پکیج TO-251: اندازه فشرده با قابلیت مدیریت حرارتی مناسب

• بار گیت پایین: ۳۰nC برای درایو ساده

• جریان‌دهی مناسب: ۶٫۶- آمپر پیوسته

• هزینه بهینه: مقرون به‌صرفه برای کاربردهای عمومی

• قابلیت اطمینان: عملکرد پایدار در شرایط کاری مختلف

• نصب آسان: پکیج Through Hole برای نمونه‌سازی و تولید

🎯 جمع‌بندی:

IRFU9120NPBF یک MOSFET کانال P با عملکرد متعادل برای کاربردهای صنعتی عمومی است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری -۲۰ ولتی و جریان ۶٫۶ آمپری، راه‌حلی اقتصادی و قابل اعتماد برای سوییچینگ ساید-های ارائه می‌دهد. پکیج TO-251 امکان استفاده در طراحی‌های فشرده را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان متوسط ایده‌آل است. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و در نظر گرفتن محدودیت‌های حرارتی برای دستیابی به عملکرد بهینه ضروری است. این ترانزیستور گزینه‌ای مناسب برای پروژه‌های صنعتی نیازمند سوییچینگ ساید-های می‌باشد.