IRFS610B

IRFS610B
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با ولتاژ متوسط و مشخصات متعادل است که توسط Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از ON Semiconductor) تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوییچینگ قدرت عمومی در محدوده ولتاژ و جریان متوسط طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۲۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۳٫۳A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱٫۵Ω

• نوع بسته‌بندی: TO-220F-3

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۲۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۳٫۳A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱٫۵Ω (در V_GS = ۱۰V)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۲۰V

• آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): ۲-۴V

• ظرفیت خازن ورودی (C_iss): ۳۵۰pF (تیپیکال)

• بار گیت کل (Q_g): ۱۵nC (تیپیکال)

• توان قابل تحمل (P_D): ۴۰W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوییچینگ کم‌توان

• درایورهای موتور DC کوچک

• سیستم‌های کنترل روشنایی

• مبدل‌های DC-DC

• سیستم‌های رله و سولنویید

• کاربردهای عمومی سوییچینگ قدرت

✅ مزایا:

• ولتاژ کاری مناسب: ۲۰۰ ولت برای کاربردهای عمومی

• سوییچینگ سریع: مناسب برای فرکانس‌های کاری متوسط

• پکیج ایزوله: TO-220F برای نصب آسان

• هزینه بهینه: مقرون به‌صرفه برای کاربردهای غیرحساس

• قابلیت اطمینان: عملکرد پایدار در شرایط نرمال

• بار گیت پایین: نیاز به درایور ساده

🎯 جمع‌بندی:

IRFS610B یک MOSFET قدرت با کارایی مناسب برای کاربردهای سوییچینگ عمومی است. این قطعه با مشخصات متعادل و قیمت مقرون به‌صرفه، گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌هایی است که به ولتاژ ۲۰۰ ولتی و جریان ۳ آمپری نیاز دارند. طراحی بهینه با پکیج TO-220F امکان مدیریت حرارتی مناسب را فراهم می‌کند. توجه به محدودیت‌های جریان و توان این ترانزیستور برای جلوگیری از آسیب دیدن آن ضروری است. این قطعه برای پروژه‌های آموزشی و کاربردهای صنعتی غیرحساس گزینه‌ای قابل اعتماد محسوب می‌شود.