AP18N50W

AP18N50W N-Channel Power MOSFET
یک ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) کانال N با توان بالا و ولتاژ breakdown ۵۰۰ ولت است که توسط Advanced Power Electronics Corp تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سویچینگ پرتوان در منابع تغذیه، درایوهای موتور و اینورترها طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۵۰۰V

• جریان درین: ۲۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۰٫۲۷Ω (۲۷۰ میلی‌اهم)

• نوع بسته‌بندی: TO-247AD (Through Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۵۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۲۰A (در ۲۵°C)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۳۰V (حداکثر)

• آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): ۲-۴V

• ظرفیت خازن ورودی (C_iss): ۲۱۵۰pF (تیپیکال)

• توان قابل تحمل (P_D): ۳۰۰W (تیپیکال)

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• درایوهای موتور DC و AC

• اینورترهای صنعتی

• سیستم‌های کنترل توان

• منابع تغذیه سخت‌افزارهای صنعتی

• مبدل‌های DC-DC پرتوان

✅ مزایا:

• ولتاژ بالا: قابلیت کار در مدارهای ۵۰۰ ولتی

• جریان دهی عالی: ۲۰ آمپر پیوسته

• مقاومت روشن کم: تلفات هدایت پایین

• سوییچینگ سریع: مناسب برای فرکانس‌های بالا

• پکیج TO-247: قابلیت dissipate حرارتی عالی

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

AP18N50W یک MOSFET قدرت با کارایی بالا برای کاربردهای سویچینگ پرتوان است. طراحی بهینه با مقاومت RDS(on) پایین، تلفات هدایت را به حداقل می‌رساند و راندمان سیستم را بهبود می‌بخشد. پکیج TO-247AD امکان مدیریت حرارتی عالی را فراهم می‌کند. توجه به طراحی صحیح درایور گیت و هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های صنعتی نیازمند ولتاژ و جریان بالا می‌باشد.