روشهای ارسال متنوع
سفارش خارج
چت آنلاین
پیش خرید هوشمندانه
AP18N50W از خانواده ماسفت میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
AP18N50W N-Channel Power MOSFET
یک ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) کانال N با توان بالا و ولتاژ breakdown ۵۰۰ ولت است که توسط Advanced Power Electronics Corp تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سویچینگ پرتوان در منابع تغذیه، درایوهای موتور و اینورترها طراحی شده است.
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
درایوهای موتور DC و AC
اینورترهای صنعتی
سیستمهای کنترل توان
منابع تغذیه سختافزارهای صنعتی
مبدلهای DC-DC پرتوان
ولتاژ بالا: قابلیت کار در مدارهای ۵۰۰ ولتی
جریان دهی عالی: ۲۰ آمپر پیوسته
مقاومت روشن کم: تلفات هدایت پایین
سوییچینگ سریع: مناسب برای فرکانسهای بالا
پکیج TO-247: قابلیت dissipate حرارتی عالی
قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت
AP18N50W یک MOSFET قدرت با کارایی بالا برای کاربردهای سویچینگ پرتوان است. طراحی بهینه با مقاومت RDS(on) پایین، تلفات هدایت را به حداقل میرساند و راندمان سیستم را بهبود میبخشد. پکیج TO-247AD امکان مدیریت حرارتی عالی را فراهم میکند. توجه به طراحی صحیح درایور گیت و هیتسینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینهای ایدهآل برای پروژههای صنعتی نیازمند ولتاژ و جریان بالا میباشد.
| Features | انتخاب ویژگی | |
|---|---|---|
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Polarity | N-Channel Type | |
| Voltage (ds) | 500 V | |
| Current (Id) | 20 A | |
| Resistance (Rds) | 270 mΩ | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Brand | Advanced Power Electronics Corp | |
| Package | TO-247AD | |
