IRFU210B
یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) کانال N تقویتشونده است که با تکنولوژی پیشرفته DMOS شرکت Fairchild ساخته شده است. این قطعه برای کاربردهای سوییچینگ پرسرعت و با راندمان بالا بهینهسازی شده است.
🧩 مشخصات کلی
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N (N-Channel Enhancement Mode)
-
تکنولوژی: پلانار DMOS
-
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>): 200V
-
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): 2.7A (در دمای 25°C)
-
مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>): 1.5Ω (ماکزیمم در V<sub>GS</sub> = 10V)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی
💡 کاربردهای اصلی
-
مبدلهای DC-DC با راندمان بالا
-
منبع تغذیه سوییچمودی (SMPS)
-
مبدلهای DC-AC برای UPS (منابع تغذیه بدون وقفه)
-
کنترل موتور
-
درایورهای رله و سولنوئید
✅ مزایا
-
بار گیت پایین (Low Gate Charge): باعث کاهش تلفات سوییچینگ و کارایی بهتر در فرکانسهای بالا میشود.
-
سوییچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای پرسرعت.
-
مقاومت روشنی کم (Low R<sub>DS(on)</sub>): تلفات هدایت (Conduction Losses) را کاهش میدهد.
-
قابلیت تحمل انرژی Avalanche: 100% tested.
-
قابلیت dv/dt بهبودیافته: تحمل بهتر در برابر تغییرات سریع ولتاژ.
🎯 جمعبندی
IRFU210B یک MOSFET قدرت قابل اعتماد و کارآمد برای طراحیهای مدرن سوییچینگ است. ویژگیهای کلیدی مانند سرعت سوییچینگ بالا، بار گیت پایین و مقاومت روشنی کم، آن را به گزینهای ایدهآل برای کاربردهای کنترل قدرت و مبدلها تبدیل میکند. برای دستیابی به بهترین عملکرد و طول عمر، توجه به مدیریت حرارتی مناسب (Heat Sink) و درایو گیت بهینه (Gate Driver) ضروری است.