HY5DU561622ETP-D43

نام کارخانه‌ای:
HY5DU561622ETP-D43
پکیج:
TSOP-66
نوع قطعه:
بازسازی شده
بسته‌بندی:
Bulk - 1 عدد

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات HY5DU561622ETP-D43

HY5DU561622ETP-D43 از خانواده آی سی رم داینامیک می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Hynix Semiconductor
  • پکیج TSOP-66
  • نوع نصب روی برد SMD
  • حداکثر ولتاژ تغذیه 2.6 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
  • حداکثر فرکانس کاری 166 مگا هرتز
  • مقدار حافظه 256 مگا بیت
  • سازمان 16M x 16
  • زمان دسترسی 15 نانو ثانیه
  • نوع SDRAM
  • عرض گذرگاه داده 16 بیت

HY5DU561622ETP-D43
یک آیسی حافظه DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) با ظرفیت ۲۵۶ مگابیت از خانواده پرسرعت DDR است که توسط Hynix Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج TSOP-66 (Thin Small Outline Package با ۶۶ پایه) برای نصب سطحی (SMD/SMT) عرضه می‌شود و یک حافظه ۲۵۶ مگابیت (16M × ۱۶) با فرکانس کاری ۱۶۶ مگاهرتز (DDR-333) و زمان دسترسی ۱۵ نانوثانیه است. این حافظه با پهنای گذرگاه ۱۶ بیتی، گزینه‌ای عالی برای سیستم‌های نهفته، ماژول‌های حافظه، تجهیزات شبکه و کاربردهایی است که به سرعت بالا، چگالی مناسب و مصرف انرژی کم نیاز دارند.

🧩 مشخصات کلی:

  • نوع: DDR SDRAM (حافظه دینامیک هم‌زمان با نرخ داده دوگانه) – نسل اول DDR با انتقال داده در هر دو لبه کلاک

  • ظرفیت: ۲۵۶ مگابیت (معادل ۳۲ مگابایت)

  • سازمان‌دهی: 16M × ۱۶ (16 میلیون کلمه ۱۶ بیتی) – هر تراشه یک گذرگاه ۱۶ بیتی را مستقیماً پشتیبانی می‌کند

  • حداکثر فرکانس کاری: ۱۶۶ مگاهرتز – نرخ انتقال داده مؤثر ۳۳۳ میلیون انتقال بر ثانیه (DDR-333)

  • زمان دسترسی (Access Time): ۱۵ نانوثانیه – تأخیر کم برای پردازش سریع

  • پهنای گذرگاه داده: ۱۶ بیت – امکان تشکیل گذرگاه‌های عریض‌تر با استفاده از چند تراشه موازی

  • نوع بسته‌بندی: TSOP-66 (SMD/SMT) – پکیج باریک ۶۶ پایه، نصب سطحی و سازگار با استانداردهای صنعتی

  • دمای کاری: ۰ تا +۷۰ درجه سانتی‌گراد (کامرشال)

  • برند: Hynix Semiconductor – از بزرگترین و معتبرترین تولیدکنندگان حافظه‌های DRAM در جهان

💡 کاربردهای اصلی:

  • ماژول‌های حافظه کامپیوترهای شخصی: ساخت DIMM/SODIMMهای DDR با چگالی بالا برای کامپیوترهای رومیزی و لپ‌تاپ‌های اوایل دهه ۲۰۰۰

  • سیستم‌های نهفته پیشرفته: روترها، سوئیچ‌ها، فایروال‌ها و تجهیزات مخابراتی که به حافظه پرسرعت و کم‌مصرف نیاز دارند

  • کارت‌های گرافیک قدیمی: استفاده به عنوان حافظه ویدئویی در کارت‌های گرافیک نسل DDR

  • تجهیزات صنعتی و پزشکی: سیستم‌های تصویربرداری، کنترل‌کننده‌های منطقی و دستگاه‌های اندازه‌گیری

  • کنسول‌های بازی و ست‌تاپ باکس‌ها: ذخیره‌سازی موقت داده‌های گرافیکی و صوتی

  • پروژه‌های DIY و نمونه‌سازی: به دلیل پکیج TSOP که لحیم‌کاری آن نسبتاً آسان است

 مزایا:

  • سازمان‌دهی 16M × ۱۶ با گذرگاه ۱۶ بیتی: کاهش تعداد تراشه‌های مورد نیاز و ساده‌سازی طراحی بانک حافظه

  • فرکانس ۱۶۶ مگاهرتز و DDR-333: پهنای باند بالا نسبت به SDRAMهای معمولی ۱۳۳ مگاهرتزی

  • زمان دسترسی ۱۵ نانوثانیه: تأخیر کم، مناسب برای کاربردهای حساس به زمان پاسخ

  • برند Hynix: نماد کیفیت و قابلیت اطمینان از یکی از رهبران بازار DRAM

🎯 جمع‌بندی:
HY5DU561622ETP-D43 یک تراشه حافظه DDR SDRAM با ظرفیت ۲۵۶ مگابیت (16M × ۱۶) از Hynix در پکیج TSOP-66 است. این قطعه با فرکانس ۱۶۶ مگاهرتز، نرخ داده DDR-333، یک راه‌حل پرسرعت، کم‌مصرف و فوق‌العاده متراکم برای ذخیره‌سازی داده‌ها در سیستم‌های نهفته، تجهیزات شبکه و ماژول‌های حافظه است. HY5DU561622ETP-D43 با بهره‌گیری از فناوری DDR و کیفیت ساخت Hynix، ترکیبی از پهنای باند بالا، قابلیت اطمینان و ارزش اقتصادی را برای مهندسانی که به دنبال یک حافظه قدرتمند و استاندارد با گذرگاه ۱۶ بیتی هستند، به ارمغان می‌آورد.



Features انتخاب ویژگی
Memory Size 256 Mbit =
Organization 16M x 16
Maximum Clock Frequency 166 MHz =
Access Time 15 ns =
Data Bus Width 16 bit
Type SDRAM
Mounting Style SMD
Supply Voltage (Max) 2.6 V =
Minimum Operating Temperature 0 °C =
Maximum Operating Temperature +70 °C =
Brand Hynix Semiconductor
Package TSOP-66



نظرات

موجود در انبار
94
7,020,000 ریال