SILVACO TCAD 2019 RH64 STR FILES

---

🔷 SILVACO TCAD 2019 RH64 + STR Files

مجموعه پیشرفته شبیه‌سازی نیمه‌هادی‌ ها، ساختارهای میکروالکترونیک و فرایندهای فیزیکی

---

📌 معرفی کلی

SILVACO TCAD 2019 RH64 یکی از قدرتمندترین پکیج‌های شبیه‌سازی نیمه‌هادی‌هاست که برای شبیه‌سازی فرآیند ساخت (Process Simulation) و شبیه‌سازی عملکرد عملیاتی (Device Simulation) استفاده می‌شود.

این نسخه مناسب سیستم‌عامل RHEL / CentOS 64-bit (RH64) بوده و به همراه STR Files ارائه می‌شود که فایل‌های مهم و حیاتی برای تعریف ساختار و پروفایل‌های فرآیندی هستند.

این ابزار بیشتر توسط:

شرکت‌های نیمه‌هادی

دانشگاه‌ها

پژوهشکده‌های نانو

آزمایشگاه‌های میکروالکترونیک

طراحان IC و MEMS
استفاده می‌شود.

---

🌐 محتویات و اجزای کلیدی نسخه 2019 RH64

🔹 1. شبیه‌سازهای اصلی TCAD

پکیج کامل شامل ابزارهای زیر است:

Athena → شبیه‌سازی فرآیند ساخت (اکسیداسیون، پراکنش، لیتوگرافی، ایمپلنت)

Atlas → حل فیزیکی عملکرد دیوایس‌ها (MOSFET، IGBT، BJT، LED، MOS Capacitor و…)

Victory Process / Victory Device → موتورهای نسل جدید

DeckBuild → محیط یکپارچه برای اجرای کدها و استخراج نتایج

TonyPlot → نمایش سه‌بعدی نتایج و پروفایل‌ها

DevEdit → ایجاد یا ویرایش ساختارهای دوبعدی/سه‌بعدی

---

🔹 2. شامل STR Files (Structure Files)

در نسخه 2019 RH64 فایل‌های STR نقش مهمی دارند:

حاوی ساختار سه‌بعدی/دو‌بعدی دیوایس

اطلاعات دوپینگ و پروفایل ناخالصی

لایه‌ها، مرزها و مواد

خروجی قابل استفاده در Atlas یا DevEdit

قابل استخراج از Athena یا پردازش از منابع خارجی

این نسخه شامل تعدادی فایل STR آماده برای انواع دیوایس‌ها می‌باشد:

MOSFET (NMOS – PMOS)

Power MOSFET

IGBT

BJT

LED / Laser

Solar Cell

Diode / PIN / Zener

SOI MOSFET

---

🌟 ویژگی‌های مهم SILVACO TCAD 2019 RH64

🔹 1. مدل‌های فیزیکی پیشرفته

مدل‌های drift-diffusion

Hydrodynamic

Mobility models

Recombination models (SRH, Auger, Radiative)

Quantum corrections

High-field effects

Stress & strain models

Optoelectronic modeling

---

🔹 2. شبیه‌سازی دقیق فرآیند ساخت

با Athena / Victory Process:

اکسیداسیون حرارتی

کاشت یون (Ion Implantation)

دوپینگ و انتشار

لایه‌نشانی (CVD / PVD)

اچ تر (Wet / Dry Etching)

ماسک و لیتوگرافی

STRESS Modeling

سه‌بعدی کردن ساختار

---

🔹 3. شبیه‌سازی Device در Atlas

I-V ، C-V ، Transient

Breakdown

Gate leakage

Hot carrier effects

Self-heating

SOI effects

Optical generation & recombination

---

🔹 4. ابزارهای نمایش و تحلیل

TonyPlot2D / TonyPlot3D

استخراج مقاطع، پروفایل‌ها، توزیع دوپینگ

نمایش توابع فیزیکی جریان/پتانسیل/چگالی حامل

خروجی قابل تبدیل به CSV و تصاویر

---

🎯 کاربردهای عملی نسخه 2019

طراحی MOSFET و FinFET

تحلیل Power Devices

شبیه‌سازی سلول خورشیدی

طراحی لیزر و LED

شبیه‌سازی سنسورها (MEMS/Optical)

تحلیل خرابی (ESD, Breakdown, HCI)

مطالعه رفتار مواد نوین (GaN، SiC، Ge، InP)

---

✔ مزیت‌های نسخه 2019 RH64

پشتیبانی پایدار روی توزیع‌های RHEL/CentOS

سرعت بیشتر نسبت به نسخه‌های 2016 و 2017

مدل‌های دقیق‌تر برای مواد Wide-Bandgap

سازگاری کامل با Victory Process/Device

کتابخانه STR گسترده‌تر و به‌‌روزتر

---