FQPF10N60C

FQPF10N60C
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با ولتاژ بالا و کارایی مناسب است که توسط Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از ON Semiconductor) تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوییچینگ پرتوان در منابع تغذیه و درایورهای صنعتی طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۶۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۹٫۵A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۰٫۷۳Ω

• نوع بسته‌بندی: TO-220F-3

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۶۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۹٫۵A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۰٫۷۳Ω (در V_GS = ۱۰V)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۳۰V

• آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): ۳-۵V

• بار گیت کل (Q_g): ۲۸nC (تیپیکال)

• انرژی آوالانش (E_AS): ۲۹۰mJ

• توان قابل تحمل (P_D): ۴۲W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوییچینگ صنعتی

• اینورترهای توان متوسط

• سیستم‌های کنترل موتور

• مبدل‌های PFC (اصلاح ضریب توان)

• منابع تغذیه بدون وقفه (UPS)

• بالاست‌های الکترونیکی

✅ مزایا:

• ولتاژ بالا: قابلیت کار در مدارهای ۶۰۰ ولتی

• سوییچینگ کارآمد: تلفات پایین در حالت هدایت و سوییچینگ

• پکیج ایزوله: TO-220F برای نصب آسان و مدیریت حرارتی بهتر

• قابلیت اطمینان: تست آوالانش برای عملکرد مطمئن

• بار گیت مناسب: نیاز به درایور نسبتاً ساده

• هزینه بهینه: راه‌حل مقرون به‌صرفه برای کاربردهای صنعتی

🎯 جمع‌بندی:

FQPF10N60C یک MOSFET قدرت با عملکرد قابل اعتماد برای کاربردهای سوییچینگ پرولتاژ است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری ۶۰۰ ولتی و جریان ۹٫۵ آمپری، تعادل مناسبی بین عملکرد و هزینه ارائه می‌دهد. پکیج ایزوله TO-220F امکان نصب مکانیکی ساده‌تر و مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم می‌کند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و قابلیت اطمینان مناسب می‌باشد.