FQI4N80TU
یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) کانال N تقویتشونده با ولتاژ بالا است که با تکنولوژی پیشرفته QFET و DMOS شرکت Fairchild (اکنون ON Semiconductor) تولید شده است. این تکنولوژی ویژه برای کاهش مقاومت حالت روشنی، بهبود عملکرد سوییچینگ و افزایش استحکام در برابر انرژی Avalanche در کاربردهای ولتاژ بالا طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N (N-Channel Enhancement Mode)
-
تکنولوژی: QFET® (Planar Stripe DMOS)
-
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>): 800 V
-
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): 3.9 A (در دمای 25°C)
-
مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>): 3.6 Ω (ماکزیمم در V<sub>GS</sub> = 10 V)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی
💡 کاربردهای اصلی
-
منبع تغذیه سوییچمودی (SMPS) - مخصوصاً منابع تغذیه با ورودی برق شهر
-
اصلاح ضریب توان فعال (Active PFC)
-
بالاست الکترونیکی لامپها (Electronic Lamp Ballasts)
-
اینورترهای صنعتی با ولتاژ بالا
✅ مزایا
-
ولتاژ بالا (800V): مناسب برای کاربردهای مستقیم به برق شهر.
-
مقاومت حرارتی بسیار پایین (0.96°C/W): قابلیت دفع حرارت فوقالعاده.
-
بار گیت نسبتاً پایین (19 nC): برای یک MOSFET با این ولتاژ، مقدار مطلوبی است.
-
خازن فیدبک (C<sub>rss</sub>) بسیار کم (8.6 pF): کاهش نویز سوییچینگ و بهبود پایداری.
-
قابلیت تحمل انرژی Avalanche بالا (460 mJ): مناسب برای کاربردهای القایی سنگین.
-
۱۰۰% تست Avalanche: تضمین قابلیت اطمینان.
🎯 جمعبندی
FQI4N80TU یک MOSFET ولتاژ بالا و بسیار قوی است که به لطف مقاومت حرارتی بسیار کم و قابلیت تحمل انرژی بالا، گزینهای ایدهآل برای کاربردهای صنعتی و قدرتی سنگین مانند منابع تغذیه سوییچینگ، مدارات PFC و درایورهای موتور محسوب میشود. پکیج I²-PAK (TO-262) آن امکان مدیریت حرارتی عالی را فراهم میکند. برای دستیابی به بهترین عملکرد، استفاده از درایور گیت مناسب برای کنترل شارژ و دشارژ سریع و همچنین محاسبه دقیق هیت سینک با توجه به توان اتلافی پروژه، کاملاً ضروری است. این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک سوییچ ولتاژ بالا با قابلیت اطمینان برتر هستند، یک انتخاب برجسته است.