FQI4N80TU

نام کارخانه‌ای:
FQI4N80TU
پکیج:
TO-262
بسته‌بندی:
Tube - 1,000 عدد
عنوان گروه:
دیتاشیت:

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات FQI4N80TU

FQI4N80TU از خانواده ماسفت می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Fairchild Semiconductor
  • پکیج TO-262
  • ولتاژ 800 ولت
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • جریان 3.9 آمپر
  • تعداد کانال 1 کانال
  • منفی یا مثبت N-Channel قطب
  • مقاومت 2.8 اهم

FQI4N80TU 

یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) کانال N تقویت‌شونده با ولتاژ بالا است که با تکنولوژی پیشرفته QFET و DMOS شرکت Fairchild (اکنون ON Semiconductor) تولید شده است. این تکنولوژی ویژه برای کاهش مقاومت حالت روشنی، بهبود عملکرد سوییچینگ و افزایش استحکام در برابر انرژی Avalanche در کاربردهای ولتاژ بالا طراحی شده است.


🧩 مشخصات کلی

  • نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N (N-Channel Enhancement Mode)

  • تکنولوژی: QFET® (Planar Stripe DMOS)

  • ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>): 800 V

  • جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): 3.9 A (در دمای 25°C)

  • مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>): 3.6 Ω (ماکزیمم در V<sub>GS</sub> = 10 V)


⚙️ مشخصات فنی کلیدی

پارامتر مقدار واحد
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DSS</sub>) 800 V
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>) 3.9 (در 25°C) - 2.47 (در 100°C) A
جریان درین پالسی (I<sub>DM</sub>) 15.6 A
مقاومت روشنی (R<sub>DS(on)</sub>) 3.6 (ماکزیمم) Ω
ولتاژ آستانه گیت (V<sub>GS(th)</sub>) 3.0 تا 5.0 V
بار گیت کل (Q<sub>g</sub>) 19 (تیپیکال) nC
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GSS</sub>) ±30 V
توان اتلافی (P<sub>D</sub>) 130 (در T<sub>C</sub>=25°C) W


💡 کاربردهای اصلی

  • منبع تغذیه سوییچ‌مودی (SMPS) - مخصوصاً منابع تغذیه با ورودی برق شهر

  • اصلاح ضریب توان فعال (Active PFC)

  • بالاست الکترونیکی لامپ‌ها (Electronic Lamp Ballasts)

  • اینورترهای صنعتی با ولتاژ بالا


✅ مزایا

  • ولتاژ بالا (800V): مناسب برای کاربردهای مستقیم به برق شهر.

  • مقاومت حرارتی بسیار پایین (0.96°C/W): قابلیت دفع حرارت فوق‌العاده.

  • بار گیت نسبتاً پایین (19 nC): برای یک MOSFET با این ولتاژ، مقدار مطلوبی است.

  • خازن فیدبک (C<sub>rss</sub>) بسیار کم (8.6 pF): کاهش نویز سوییچینگ و بهبود پایداری.

  • قابلیت تحمل انرژی Avalanche بالا (460 mJ): مناسب برای کاربردهای القایی سنگین.

  • ۱۰۰% تست Avalanche: تضمین قابلیت اطمینان.


🎯 جمع‌بندی

FQI4N80TU یک MOSFET ولتاژ بالا و بسیار قوی است که به لطف مقاومت حرارتی بسیار کم و قابلیت تحمل انرژی بالا، گزینه‌ای ایده‌آل برای کاربردهای صنعتی و قدرتی سنگین مانند منابع تغذیه سوییچینگ، مدارات PFC و درایورهای موتور محسوب می‌شود. پکیج I²-PAK (TO-262) آن امکان مدیریت حرارتی عالی را فراهم می‌کند. برای دستیابی به بهترین عملکرد، استفاده از درایور گیت مناسب برای کنترل شارژ و دشارژ سریع و همچنین محاسبه دقیق هیت سینک با توجه به توان اتلافی پروژه، کاملاً ضروری است. این قطعه برای طراحانی که به دنبال یک سوییچ ولتاژ بالا با قابلیت اطمینان برتر هستند، یک انتخاب برجسته است.



Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel =
Polarity N-Channel Type
Voltage (ds) 800 V =
Current (Id) 3.9 A =
Resistance (Rds) 2.8 Ω =
Mounting Style Through Hole
Brand Fairchild Semiconductor
Package TO-262




نظرات

موجود در انبار
84
662,000 ریال
655,000 ریال
50 عدد
652,000 ریال
100 عدد
648,000 ریال
200 عدد
645,000 ریال
500 عدد
642,000 ریال
1,000 عدد