FDN360P

FDN360P

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با تکنولوژی پیشرفته است که توسط ON Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج فشرده SOT-23 ارائه می‌شود و راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای سوئیچینگ ساید (High-Side Switching) در فضای محدود بردهای مدار چاپی مدرن می‌باشد.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: P-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): -30V

• جریان درین پیوسته (Id): -2A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 63mΩ

• نوع بسته‌بندی: SOT-23 (SC-59) (SMD/SMT)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): -30V

• جریان درین پیوسته (Id): -2A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 63mΩ

• توان قابل تحمل (Pd): 1.1W (در 25°C)

💡 کاربردهای اصلی:

• سوئیچینگ ساید (High-Side Switching) در سیستم‌های مبتنی بر میکروکنترلر

• مدارهای مدیریت توان در دستگاه‌های قابل حمل (Portable Devices)

• سیستم‌های قطع و وصل بار (Load Switching)

• مبدل‌های DC-DC با کارایی بالا

• کاربردهای صرفه‌جویی در توان (Power Saving Applications)

• مدارهای محافظت و ایزولاسیون

• کنترل روشنایی LED

• سوئیچینگ باتری و مدیریت توان

✅ مزایا:

• پکیج فوق‌العاده فشرده: SOT-23 برای طراحی‌های با تراکم بسیار بالا

• قابلیت درایو با Logic Level: عملکرد کامل با ولتاژ گیت -2.5V تا -4.5V

• مقاومت روشن پایین: ۶۳ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• سوئیچینگ بسیار سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

• جریان قابل توجه: ۲ آمپر در پکیج کوچک

• راندمان بالا: تلفات هدایت و سوئیچینگ بسیار پایین

• نصب سطحی (SMD): مناسب برای تولید انبوه با فرآیند مونتاژ ماشینی

🎯 جمع‌بندی:
FDN360P یک MOSFET کانال P فشرده و کارآمد است که ترکیب مناسبی از ولتاژ کاری، جریان و اندازه کوچک را ارائه می‌دهد. این قطعه برای طراحی‌های مدرنی که به سوئیچینگ ساید در فضای محدود نیاز دارند، گزینه‌ای ایده‌آل محسوب می‌شود. توانایی درایو مستقیم با ولتاژهای منطقی پایین (3.3V/5V) آن را برای پروژه‌های مبتنی بر آردوینو، Raspberry Pi و سایر بردهای توسعه مناسب ساخته است. با توجه به ابعاد کوچک و مقاومت حرارتی بالا، مدیریت حرارتی دقیق از طریق طراحی بهینه PCB برای دستیابی به حداکثر جریان مجاز کاملاً ضروری است. این قطعه نمونه‌ای عالی از تلفیق عملکرد کاربردی با ابعاد فوق‌العاده کوچک برای کاربردهای الکترونیکی مدرن است.