NCE80H12

NCE80H12

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تمرکز بر کارایی بالا در جریان بسیار سنگین است که توسط Wuxi NCE Power Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج TO-220AB ارائه می‌شود و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ متوسط و جریان فوق‌العاده بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 80V

• جریان درین پیوسته (Id): 120A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 6mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB (Through-Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 80V

• جریان درین پیوسته (Id): 120A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 6mΩ 

• توان قابل تحمل (Pd): 125W

💡 کاربردهای اصلی:

• درایورهای موتور براشلس (BLDC) پرقدرت در وسایل نقلیه الکتریکی (e-Scooter، e-Bike)

• سوئیچینگ باتری با جریان بالا در سیستم‌های مدیریت باتری (BMS)

• منابع تغذیه سوئیچینگ با جریان خروجی بسیار بالا

• سیستم‌های کنترل توان در ابزارهای برقی صنعتی

✅ مزایا:

• مقاومت روشن بسیار پایین (6mΩ): کاهش قابل توجه تلفات هدایت و افزایش راندمان

• جریان کاری بسیار بالا (120A): امکان کنترل بارهای با توان بسیار زیاد

• پکیج TO-220AB آشنا: سهولت در مونتاژ و دسترسی گسترده

• ولتاژ کاری 80V: مناسب برای سیستم‌های باتری لیتیوم 48V و 72V

🎯 جمع‌بندی:

NCE80H12 یک MOSFET قدرت با مشخصات چشمگیر است که ترکیب جریان بسیار بالا و مقاومت روشن پایین را ارائه می‌دهد. این قطعه برای کاربردهای صنعتی پرقدرت که نیاز به کنترل جریان‌های سنگین در ولتاژ متوسط دارند، طراحی شده است. موفقیت در استفاده از آن مستقیماً به کیفیت طراحی خنک‌کنندگی و مدیریت حرارتی بستگی دارد. توجه به این نکته ضروری است که عدد جریان 120A در شرایط عملی و با در نظر گرفتن محدودیت‌های حرارتی پکیج TO-220AB، معمولاً قابل دستیابی نیست و طراحی باید بر اساس جریان‌های عملیاتی پایین‌تر صورت پذیرد. این قطعه نمونه‌ای از پیشرفت تکنولوژی در افزایش چگالی توان است، اما استفاده عملی از آن نیازمند مهندسی حرارتی دقیق می‌باشد.