IPP60R165CP
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با راندمان بالا در ولتاژهای بالا طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۶۰۰V
-
جریان درین پیوسته (I_D): ۲۱A (در ۲۵°C)
-
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱۵۰mΩ (در V_GS = ۱۰V)
-
توان قابل تحمل (P_D): ۱۹۰W
-
مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۷°C/W
💡 کاربردهای اصلی:
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری بالا: ۶۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی
-
جریاندهی مناسب: ۲۱ آمپر پیوسته
-
پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی خوب
-
بار گیت پایین: ۵۵nC برای درایو ساده
-
سوئیچینگ سریع: کاهش تلفات سوئیچینگ
-
قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت
🎯 جمعبندی:
IPP60R165CP یک MOSFET قدرت با عملکرد متعادل برای کاربردهای پرولتاژ است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری ۶۰۰ ولتی و جریان ۲۱ آمپری، راهحلی قابل اعتماد برای سوییچینگ لو-ساید ارائه میدهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مناسب را فراهم میکند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک در صورت نیاز برای دستیابی به بهترین عملکرد این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینهای ایدهآل برای پروژههای صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و عملکرد پایدار میباشد.