STP8NK100Z
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته Z-series است که توسط STMicroelectronics تولید شده است. این قطعه در پکیج TO-220AB ارائه میشود و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ فوقالعاده بالا و راندمان بهبودیافته طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 1000V (1kV)
-
جریان درین پیوسته (Id): 6.5A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 1.85Ω
-
نوع بستهبندی: TO-220AB (Through-Hole)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 1000V
-
جریان درین پیوسته (Id): 6.5A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 1.85Ω
-
توان قابل تحمل (Pd): 85W
💡 کاربردهای اصلی:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS) با ولتاژ بسیار بالا
-
مدارهای کنترل روشنایی LED با ولتاژ بالا
-
اینورترهای خورشیدی و صنعتی
-
سیستمهای UPS
-
درایورهای سولنوئید و رله با ولتاژ بالا
-
مبدلهای DC-DC با ولتاژ ورودی بالا
-
منابع تغذیه پزشکی و تجهیزات صنعتی
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری فوقالعاده بالا: 1000 ولت برای کاربردهای پیشرفته
-
سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط
-
پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی خوب برای اتلاف توان
-
قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط کاری
-
دیود بدنۀ داخلی: دارای دیود بدنۀ بازیابی سریع
-
هزینه بهینه: راهحلی اقتصادی برای کاربردهای ولتاژ بالا
-
نصب آسان: طراحی شده برای مونتاژ مکانیزه و دستی
🎯 جمعبندی:
STP8NK100Z یک MOSFET کانال N قابل اعتماد و مقرون بهصرفه است که ترکیب مناسبی از ولتاژ فوقالعاده بالا (1000V) و جریان متوسط (6.5A) را ارائه میدهد. این قطعه برای کاربردهایی که به ولتاژ بسیار بالا با هزینه بهینه نیاز دارند، گزینهای مناسب محسوب میشود. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم میکند. استفاده از هیتسینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد حرارتی و اطمینان از طول عمر قطعه ضروری است. این قطعه نمونهای متعادل از عملکرد و هزینه برای کاربردهای ولتاژ بسیار بالا با جریان متوسط میباشد.