C2M0160120D

C2M0160120D
یک ترانزیستور قدرت پیشرفته با تکنولوژی سیلیکون کارباید (SiC) است که توسط Cree, Inc تولید شده است. این قطعه با بهره‌گیری از نسل جدید تکنولوژی C2M™، برای کاربردهای سوئیچینگ پرسرعت و پرتوان با راندمان بسیار بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET SiC

• کانال: N-Channel Enhancement Mode

• ولتاژ درین-سورس: ۱۲۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۹A (در ۲۵°C)

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱۶۰mΩ (ماکزیمم ۱۹۶mΩ)

• نوع بسته‌بندی: TO-247-3

• تکنولوژی: SiC (سیلیکون کارباید)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): -۱۰V تا +۲۵V (حداکثر)

• ولتاژ آستانه گیت (V_GS(th)): ۲٫۴V تا ۲٫۵V

• خازن ورودی (C_iss): ۵۲۵pF

• بار گیت کل (Q_g): ۳۴nC

• زمان روشن شدن (t_d(on)): ۹ns

• زمان خاموش شدن (t_d(off)): ۱۶ns

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۱٫۰°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• اینورترهای خورشیدی (Solar Inverters)

• منابع تغذیه سوئیچینگ (Switch Mode Power Supplies)

• مبدل‌های DC/DC پرولتاژ (High Voltage DC/DC Converters)

• منابع تغذیه روشنایی LED

• سیستم‌های اتومبیل‌های الکتریکی

• شارژرهای سریع خودروهای برقی

✅ مزایا و ویژگی‌های منحصر به فرد:

• راندمان سیستم بالاتر با تلفات سوئیچینگ کمتر

• سرعت سوئیچینگ بسیار بالا با انرژی سوئیچینگ پایین

• مقاومت در برابر Avalanche و قابلیت اطمینان بالا

• فاقد پدیده Latch-Up در عملکرد

• قابلیت موازی‌سازی آسان برای کاربردهای پرتوان

• طراحی بدون هالوژن و مطابق با RoHS

• کاهش نیازهای خنک‌کنندگی و افزایش چگالی توان

🎯 جمع‌بندی:

C2M0160120D یک MOSFET SiC با عملکرد فوق‌العاده برای کاربردهای توان بالا و فرکانس بالا است. تکنولوژی پیشرفته SiC امکان کار در ولتاژ ۱۲۰۰ ولتی با تلفات بسیار پایین‌تر نسبت به MOSFETهای سیلیکونی معمولی را فراهم می‌کند. این قطعه با مشخصات سوئیچینگ سریع (زمان‌های سوئیچینگ در حد نانوثانیه) و مقاومت حرارتی پایین، برای سیستم‌های مدرن که نیاز به راندمان بالا، چگالی توان زیاد و قابلیت اطمینان فوق‌العاده دارند، ایده‌آل است. توجه به طراحی دقیق درایور گیت و مدیریت حرارتی مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری می‌باشد.