C2M0280120D

C2M0280120D
یک ترانزیستور قدرت پیشرفته با تکنولوژی سیلیکون کارباید (SiC) است که توسط Cree, Inc تولید شده است. این قطعه با بهره‌گیری از نسل جدید تکنولوژی C2M™، برای کاربردهای سوئیچینگ پرسرعت با راندمان بسیار بالا در توان‌های متوسط طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET SiC

• کانال: N-Channel Enhancement Mode

• ولتاژ درین-سورس: ۱۲۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۲۸۰mΩ (ماکزیمم ۳۷۰mΩ)

• نوع بسته‌بندی: TO-247-3

• تکنولوژی: SiC (سیلیکون کارباید)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): -۱۰V تا +۲۵V (حداکثر)

• ولتاژ آستانه گیت (V_GS(th)): ۲٫۰V تا ۴٫۰V

• خازن ورودی (C_iss): ۲۵۹pF

• بار گیت کل (Q_g): ۲۰٫۴nC

• زمان روشن شدن (t_d(on)): ۵٫۲ns

• زمان خاموش شدن (t_d(off)): ۱۰٫۸ns

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۲٫۰°C/W

• انرژی سوئیچینگ کل: ۶۹μJ (در ۸۰۰V، ۶A)

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه روشنایی LED

• مبدل‌های DC/DC پرولتاژ (High Voltage DC/DC Converters)

• منابع تغذیه صنعتی (Industrial Power Supplies)

• سیستم‌های HVAC (گرمایش، تهویه و تهویه مطبوع)

• اینورترهای صنعتی

• کنترل‌کننده‌های موتور

✅ مزایا و ویژگی‌های منحصر به فرد:

• راندمان سیستم بالاتر با تلفات سوئیچینگ کمتر

• سرعت سوئیچینگ بسیار بالا با زمان‌های سوئیچینگ نانوثانیه‌ای

• مقاومت در برابر Avalanche با انرژی ۲۸۰mJ

• فاقد پدیده Latch-Up در عملکرد

• بار گیت پایین (۲۰٫۴nC) برای درایو ساده

• قابلیت موازی‌سازی آسان برای کاربردهای پرتوان

• طراحی بدون هالوژن و مطابق با RoHS

🎯 جمع‌بندی:

C2M0280120D یک MOSFET SiC با عملکرد فوق‌العاده برای کاربردهای توان متوسط و فرکانس بالا است. این قطعه با مشخصات بهینه‌شده برای کاربردهای صنعتی مانند منابع تغذیه LED و سیستم‌های HVAC، تعادل مناسبی بین عملکرد و هزینه ارائه می‌دهد. طراحی مبتنی بر تکنولوژی SiC امکان کار در ولتاژ ۱۲۰۰ ولتی با تلفات بسیار پایین را فراهم می‌کند. توجه به طراحی دقیق درایور گیت و مدیریت حرارتی مناسب (با توجه به مقاومت حرارتی ۲°C/W) برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ایده‌آل برای طراحانی است که به دنبال افزایش راندمان و چگالی توان در سیستم‌های صنعتی هستند.