IPW60R190P6

IPW60R190P6
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته CoolMOS™ P6 است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با راندمان بالا در ولتاژهای بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۶۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۲۰٫۲A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱۷۱mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-247AC

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۶۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۲۰٫۲A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱۷۱mΩ (در V_GS = ۱۵V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲۸۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۵°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS)

• مبدل‌های PFC (اصلاح ضریب توان)

• اینورترهای صنعتی

• درایورهای موتور

• سیستم‌های UPS

• منابع تغذیه سرور

• شارژرهای صنعتی

✅ مزایا:

• راندمان سوئیچینگ عالی: به لطف تکنولوژی CoolMOS P6

• ولتاژ کاری بالا: ۶۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی

• پکیج TO-247AC: مدیریت حرارتی مناسب

• بهینه‌شده برای کاربردهای صنعتی: عملکرد پایدار

• قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای شرایط کاری سخت

• سوئیچینگ کارآمد: تلفات سوئیچینگ پایین

🎯 جمع‌بندی:

IPW60R190P6 یک MOSFET قدرت با عملکرد متعادل برای کاربردهای صنعتی پرولتاژ است. این قطعه با بهره‌گیری از تکنولوژی CoolMOS P6، تعادل مناسبی بین ولتاژ کاری بالا و قابلیت اطمینان ارائه می‌دهد. پکیج TO-247AC امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم می‌کند. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای مناسب برای پروژه‌های صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و عملکرد پایدار می‌باشد.