TK10A60W5
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N است که توسط Toshiba Corporation تولید شده است. این قطعه در پکیج عایقشده TO-220F ارائه میشود و راهحلی کارآمد برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا و جریان نسبتاً بالا طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V
-
جریان درین پیوسته (Id): 9.7A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 350mΩ
-
نوع بستهبندی: TO-220F-3 (Through-Hole، عایقشده)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V
-
جریان درین پیوسته (Id): 9.7A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 350mΩ
-
توان قابل تحمل (Pd): 75W
💡 کاربردهای اصلی:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با توان متوسط تا بالا
-
مدارهای کنترل روشنایی LED صنعتی
-
درایورهای موتور DC با ولتاژ بالا
-
مبدلهای DC-DC با ولتاژ ورودی بالا
-
سیستمهای UPS
-
منابع تغذیه صنعتی
-
کنترلرهای پاور با ولتاژ بالا
✅ مزایا:
-
ولتاژ کاری بالا: 600 ولت برای کاربردهای صنعتی
-
جریان قابل توجه: 9.7 آمپر در ولتاژ بالا
-
مقاومت روشن پایین: 350 میلیاهم برای تلفات هدایت کم
-
پکیج عایقشده (TO-220F): امکان نصب مستقیم روی هیتسینک بدون نیاز به واسط عایق
-
سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط
-
قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط کاری
-
هزینه بهینه: راهحلی اقتصادی برای کاربردهای ولتاژ بالا
🎯 جمعبندی:
TK10A60W5 یک MOSFET کانال N قابل اعتماد و کارآمد است که ترکیب متعادلی از ولتاژ بالا (600V)، جریان نسبتاً بالا (9.7A) و مقاومت روشن پایین (350mΩ) را ارائه میدهد. پکیج عایقشده TO-220F، نصب و مدیریت حرارتی این قطعه را بسیار ساده کرده و آن را به گزینهای ایدهآل برای طراحیهای صنعتی تبدیل میکند. این قطعه برای کاربردهایی که به تعادل خوب بین ولتاژ، جریان و هزینه نیاز دارند، گزینهای مناسب محسوب میشود. استفاده از هیتسینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد حرارتی و اطمینان از طول عمر قطعه در جریانهای بالا کاملاً ضروری است.