TK11A65W

TK11A65W

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N است که توسط Toshiba Corporation تولید شده است. این قطعه در پکیج عایق‌شده TO-220F ارائه می‌شود و راه‌حلی کارآمد برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بسیار بالا و جریان قابل توجه طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 650V

• جریان درین پیوسته (Id): 11.1A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 330mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220F-3 (Through-Hole، عایق‌شده)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 650V

• جریان درین پیوسته (Id): 11.1A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 330mΩ

• توان قابل تحمل (Pd): 85W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی

• اینورترهای خورشیدی و صنعتی

• سیستم‌های UPS صنعتی

• مدارهای کنترل روشنایی LED صنعتی

• درایورهای موتور با ولتاژ بالا

• مبدل‌های PFC (اصلاح ضریب توان)

• منابع تغذیه سرور و تجهیزات شبکه

✅ مزایا:

• ولتاژ کاری بسیار بالا: 650 ولت برای کاربردهای پیشرفته صنعتی

• جریان قابل توجه: 11.1 آمپر در ولتاژ بالا

• مقاومت روشن پایین: 330 میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• پکیج عایق‌شده (TO-220F): امکان نصب مستقیم روی هیت‌سینک بدون نیاز به واسط عایق

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط کاری سخت

• دیود بدنۀ داخلی: دارای دیود بدنۀ بازیابی سریع

• هزینه بهینه: راه‌حلی اقتصادی برای کاربردهای ولتاژ بالا

🎯 جمع‌بندی:
TK11A65W یک MOSFET کانال N با عملکرد برتر است که ترکیب متعادلی از ولتاژ بسیار بالا (650V)، جریان قابل توجه (11.1A) و مقاومت روشن پایین (330mΩ) را ارائه می‌دهد. پکیج عایق‌شده TO-220F، نصب و مدیریت حرارتی این قطعه را بسیار ساده کرده و آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای طراحی‌های صنعتی پیشرفته تبدیل می‌کند. این قطعه برای کاربردهایی که به عملکرد قابل اعتماد در ولتاژهای بالا با جریان نسبتاً زیاد نیاز دارند، گزینه‌ای مناسب محسوب می‌شود. استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد حرارتی و اطمینان از طول عمر قطعه در جریان‌های کاری بالا کاملاً ضروری است.