TK12A60U

TK12A60U

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N است که توسط Toshiba Corporation تولید شده است. این قطعه در پکیج عایق‌شده TO-220F ارائه می‌شود و راه‌حلی متعادل و قابل اعتماد برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا و جریان قابل توجه طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V

• جریان درین پیوسته (Id): 12A (در 25°C)

• مقاومت روشن ((on)Rds): 400mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220F-3 (Through-Hole، عایق‌شده)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 600V

• جریان درین پیوسته (Id): 12A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس ((on)Rds): 400mΩ

• توان قابل تحمل (Pd): 75W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی

• اینورترهای خورشیدی و صنعتی

• سیستم‌های UPS

• مدارهای کنترل روشنایی LED صنعتی

• درایورهای موتور با ولتاژ بالا

• مبدل‌های DC-DC با ولتاژ ورودی بالا

• منابع تغذیه سرور و تجهیزات شبکه

✅ مزایا:

• ولتاژ کاری بالا: 600 ولت برای کاربردهای صنعتی

• جریان قابل توجه: 12 آمپر در ولتاژ بالا

• مقاومت روشن مناسب: 400 میلی‌اهم برای تلفات هدایت متعادل

• پکیج عایق‌شده (TO-220F): امکان نصب مستقیم روی هیت‌سینک بدون نیاز به واسط عایق

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط کاری

• دیود بدنۀ داخلی: دارای دیود بدنۀ بازیابی سریع

• هزینه بهینه: راه‌حلی اقتصادی برای کاربردهای ولتاژ بالا

🎯 جمع‌بندی:
TK12A60U یک MOSFET کانال N قابل اعتماد و کاربردی است که ترکیب متعادلی از ولتاژ بالا (600V)، جریان قابل توجه (12A) و مقاومت روشن مناسب (400mΩ) را ارائه می‌دهد. پکیج عایق‌شده TO-220F، نصب و مدیریت حرارتی این قطعه را بسیار ساده کرده و آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای طراحی‌های صنعتی تبدیل می‌کند. این قطعه برای کاربردهایی که به تعادل خوب بین عملکرد و هزینه در محدوده ولتاژ بالا نیاز دارند، گزینه‌ای مناسب محسوب می‌شود. استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به بهترین عملکرد حرارتی و اطمینان از طول عمر قطعه در جریان‌های کاری بالا کاملاً ضروری است.