IPP126N10N3G

IPP126N10N3G

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته از اینفینین است که برای کاربردهای سوئیچینگ با کارایی بالا و تلفات بسیار پایین طراحی شده است. این قطعه تعادل عالی بین چگالی توان و راندمان ارائه می‌دهد.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۱۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۵۸A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱۱mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۱۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۵۸A (در ۲۵°C)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲۹۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰.۵ °C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با چگالی توان بالا

• مبدل‌های DC-DC سنکرون و غیرسنکرون

• درایورهای موتور براشلس (BLDC) و استپر موتور

• سیستم‌های مدیریت باتری (BMS)

• اینورترهای Low-Voltage

• کنترلرهای موتور در ابزارهای برقی قدرتمند

• سیستم‌های استارت-استاپ (Start-Stop) خودرو

✅ مزایا:

• مقاومت روشن فوق‌العاده پایین (۱۱mΩ): تلفات هدایت حداقلی و راندمان بالا

• جریان عبوری بسیار بالا (۵۸A): قابلیت تحمل بارهای سنگین

• سرعت سوئیچینگ خوب: مناسب برای فرکانس‌های کاری متوسط تا بالا

• پکیج SMD/THT: مناسب برای هم مونتاژ سطحی و هم Through-Hole

• مدیریت حرارتی عالی: با مقاومت حرارتی پایین و پکیج TO-220AB

• قابلیت اطمینان بالا: مناسب برای کاربردهای صنعتی و خودرویی

🎯 جمع‌بندی:
IPP126N10N3G یک MOSFET قدرت بسیار کارآمد و قدرتمند برای کاربردهای Low-Voltage و High-Current است. مقاومت روشن بسیار پایین این قطعه، آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای به حداقل رساندن تلفات هدایت و مدیریت بارهای سنگین تبدیل می‌کند. طراحی درایور گیت بهینه با توجه به بار گیت (Q_g) و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای بهره‌برداری از حداکثر توانایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه برای پروژه‌هایی که به راندمان حرارتی و الکتریکی بالا نیاز دارند، بسیار مناسب می‌باشد.