IPP041N12N3G

IPP041N12N3G

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته از اینفینین است که برای کاربردهای سوئیچینگ با جریان بسیار بالا و تلفات فوق‌العاده پایین طراحی شده است. این قطعه عملکرد استثنایی در مدیریت توان بالا ارائه می‌دهد.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۱۲۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۲۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۳٫۸mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۱۲۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۲۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۳٫۸mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۳۵۰W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با توان بسیار بالا

• مبدل‌های DC-DC سنکرون برای سرورها و مراکز داده

• درایورهای موتور براشلس (BLDC) برای وسایل نقلیه الکتریکی

• سیستم‌های جوشکاری اینورتری

• اینورترهای خورشیدی با ولتاژ پایین

• کنترلرهای موتور در صنایع رباتیک و اتوماسیون

• سیستم‌های توزیع توان صنعتی

• منابع تغذیه ماشین‌های جوش

✅ مزایا:

• مقاومت روشن فوق‌العاده پایین (۳٫۸mΩ): کمترین تلفات هدایت در کلاس خود

• جریان عبوری بسیار بالا (۱۲۰A): توانایی مدیریت بارهای فوق‌سنگین

• بهینه‌شده برای کارایی حرارتی: با مقاومت حرارتی بسیار پایین

• پکیج TO-220AB: امکان مدیریت حرارتی مؤثر با هیت‌سینک

• سرعت سوئیچینگ خوب: با وجود بار گیت نسبتاً بالا

• قابلیت اطمینان استثنایی: برای کاربردهای صنعتی سنگین

• تلفات توان حداقلی: راندمان سیستم را به حداکثر می‌رساند

🎯 جمع‌بندی:
IPP041N12N3G یک ابرموفق در دنیای MOSFETهای قدرت محسوب می‌شود که با ترکیب بی‌نظیر مقاومت روشن فوق‌العاده پایین (۳٫۸mΩ) و جریان عبوری بسیار بالا (۱۲۰A)، استانداردهای جدیدی در کارایی تعریف می‌کند. این قطعه برای طراحی‌هایی که به حداکثر راندمان و حداقل تلفات در کاربردهای پرتوان نیاز دارند، گزینه‌ای ایده‌آل است. توجه به طراحی دقیق درایور گیت با قابلیت ارائه جریان کافی برای شارژ و دشارژ سریع گیت و استفاده از هیت‌سینک مناسب با کیفیت عالی برای دفع حرارت تولیدشده، برای دستیابی به حداکثر عملکرد این ترانزیستور ضروری می‌باشد.