IPP65R190CFD
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته CoolMOS™ CFD است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این نسل از CoolMOS بهطور خاص برای عملکرد در مدالیتای سخت (Hard Commutation) و کاربردهایی که نیازمند قابلیت اطمینان بسیار بالا هستند، مانند منابع تغذیه با پیکربندی LLC، بهینهسازی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 650V
-
جریان درین پیوسته (Id): 17.5A
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 190mΩ
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 650V
-
جریان درین پیوسته (Id): 17.5A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 190mΩ
-
توان قابل تحمل (Pd): 156W
💡 کاربردهای اصلی:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS) با توپولوژی LLC و Half-Bridge
-
مبدلهای DC-DC برای سرور و تجهیزات مخابراتی
-
منابع تغذیه برای بازیهای ویدیویی و ایستگاههای کاری
-
سیستمهای روشنایی LED صنعتی
-
شارژرهای باتری با توان بالا
-
منابع تغذیه همهکاره (Adapter) برای تجهیزات صنعتی
✅ مزایا:
-
قابلیت اطمینان بینظیر: تکنولوژی CFD برای تحمل استرسهای بالای سوئیچینگ در کاربردهای Hard Commutation طراحی شده است.
-
تلفات سوئیچینگ پایین: به لطف بهینهسازی داخلی، کارایی کلی سیستم را افزایش میدهد.
-
مقاومت روشن بهینه: ۱۹۰ میلیاهم برای تلفات هدایت کم.
-
پکیج FullPAK: عایقبندی شده ذاتی، که نصب و مدیریت حرارتی را سادهتر میکند.
-
سوئیچینگ نرم: دارای دیود بدنۀ (Body Diode) با بازیابی بسیار سریع و نرم که از ایجاد نوسانات ولتاژی خطرناک جلوگیری میکند.
-
ولتاژ کاری بالا: ۶۵۰ ولت، حاشیه امنیت کافی برای کاربردهای برق صنعتی فراهم میکند.
🎯 جمعبندی:
IPP65R190CFD یک MOSFET قدرت صنعتی و بسیار مطمئن از خانواده CoolMOS CFD اینفینئون است. نقطه قوت اصلی این قطعه، نه تنها در پارامترهای الکتریکی عالی، بلکه در "استحکام و قابلیت اطمینان" فوقالعاده آن در شرایط سخت سوئیچینگ است. این قطعه گزینهای ایدهآل برای طراحیهایی است که در آنها پایداری و طول عمر سیستم در اولویت قرار دارد، بهویژه در توپولوژیهای پیچیدهای مانند LLC. استفاده از هیتسینک مناسب با در نظر گرفتن مقاومت حرارتی ذکرشده، برای بهرهبرداری بهینه از این ترانزیستور ضروری است.