IPP200N15N3

IPP200N15N3

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N از سری OptiMOS™ 3 است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با راندمان بالا در محدوده ولتاژ متوسط طراحی شده و ترکیب بهینه‌ای از جریان بالا و مقاومت روشن بسیار پایین ارائه می‌دهد.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 150V

• جریان درین پیوسته (Id): 50A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 20mΩ 

• نوع بسته‌بندی: TO-220-3 (Through-Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 150V

• جریان درین پیوسته (Id): 50A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 20mΩ 

• توان قابل تحمل (Pd): 136W

💡 کاربردهای اصلی:

• درایورهای موتور DC و براشلس (BLDC)

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با ولتاژ متوسط

• سیستم‌های کنترل توان (Power Control)

• مبدل‌های DC-DC سینک و باک (Sync & Buck Converters)

• اینورترهای UPS و خورشیدی با توان متوسط

• کنترل‌کننده‌های صنعتی و اتوماسیون

• سیستم‌های جابجایی بار (Load Switching) با جریان بالا

✅ مزایا:

• مقاومت روشن بسیار پایین: تنها ۲۰ میلی‌اهم که منجر به تلفات هدایت حداقلی و کارایی بالاتر می‌شود.

• جریان عبوری بالا: قابلیت تحمل جریان ۵۰ آمپری، آن را برای کاربردهای پرتوان ایده‌آل می‌کند.

• سرعت سوئیچینگ خوب: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط.

• پکیج استاندارد TO-220: امکان مدیریت حرارتی مؤثر و ساده با هیت‌سینک را فراهم می‌کند.

• قابلیت اطمینان بالا: فناوری OptiMOS™ 3 تضمین‌کننده عملکرد پایدار و طول عمر زیاد است.

• هزینه بهینه: ارائه عملکرد عالی با نسبت قیمت به کارایی بسیار مطلوب.

🎯 جمع‌بندی:
IPP200N15N3 یک MOSFET قدرت قوی و کارآمد از نسل سوم OptiMOS اینفینئون است که با ترکیب جریان بالا (50A) و مقاومت روشن بسیار کم (20mΩ)، گزینه‌ای ممتاز برای کنترل بارهای سنگین در محدوده ولتاژ 150 ولت محسوب می‌شود. این قطعه تعادلی عالی بین عملکرد، استحکام و هزینه برقرار کرده و برای طیف وسیعی از کاربردهای صنعتی و قدرتی مناسب است. برای دستیابی به حداکثر توان قابل تحمل، استفاده از هیت‌سینک مناسب الزامی است.